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晶體二極管為一個由p型半導體和n型半導體形成的p-n結，在其界面處兩側形成空間電荷層，并建有自建電場。當不存在外加電壓時，由于p-n 結兩邊載流子濃度差引起的擴散電流和自建電場引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態。當外界有正向電壓偏置時，外界電場和自建電場的互相抑消作用使載流子的擴散電流增加引起了正向電流。當外界有反向電壓偏置時，外界電場和自建電場進一步加強，形成在一定反向電壓范圍內與反向偏置電壓值無關的反向飽和電流i0。當外加的反向電壓高到一定程度時，高壓快恢復二極管廠家，p-n結空間電荷層中的電場強度達到臨界值產生載流子的倍增過程，產生大量電子空穴對，保定高壓快恢復二極管，產生了數值很大的反向擊穿電流，稱為二極管的擊穿現象。p-n結的反向擊穿有齊納擊穿和雪崩擊穿之分。
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快恢復二極管外加反向電壓不超過一定范圍時，高壓快恢復二極管臺產芯片，通過測試的快恢復二極管的電流是少數載流子漂移運動所形成反向電流。測試表明，由于反向電流很小，這個快恢復二極管目前處于截止狀態。這個反向電流又稱為反向飽和電流或漏電流，因此快恢復二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。
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快恢復二極管是指反向恢復時間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用pn結型結構，有的采用改進的pin結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2v)，反向耐壓多在1200v以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個等級。前者反向恢復時間為數百納秒或更長，后者則在100納秒以下�？旎謴投䴓O管:有0.8-1.1v的正向導通壓降，35-85ns的反向恢復時間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并---了波形。快恢復二極管在制造工藝上采用摻金，高壓快恢復二極管參數封裝，單純的擴散等工藝，可獲得較高的開關速度，同時也能得到較高的耐壓.目前快恢復二極管主要應用在逆變電源中做整流元件.
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