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精鋁經過區熔提純，只能達到5 的高純鋁，但如使用在有機物電解液中進行電解，-線材加工，可將鋁提純到99.9995%，并可除去有不利分配系數的雜質，然后進行區熔提純數次，六安-線材，就能達到接近于 7 的純度，雜質總含量<0.5ppm。這種超純鋁除用于制備化合物半導體材料外，-線材價格，還在低溫下有高的導電性能，可用于低溫電磁設備。
制備化合物半導體的金屬如銦、磷，可利用氯化物精餾氫還原、電解精煉、區熔及拉晶提純等方法制備超純金屬，總金屬雜質含量為 0.1～1ppm。其他金屬如銀、金、鎘、、鉑等也能達到***6 的水平。
濺射靶材ito靶材的生產工藝 ito靶材的生產工藝可以分為3種：熱等靜壓法(hip)、濺射靶材熱壓法(hp)和氣氛燒結法。各種生產工藝及其特點簡介如下：
熱等靜壓法：ito靶材的熱等靜壓制作過程是將粉末或預先成形的胚體，在800℃～1400℃及1000kgf/cm 2～2000kgf/cm 2的壓力下等方加壓燒結。熱等靜壓工藝制造產品密度高、物理機械性能好，但設備投入高，生產成本高，產品的缺氧率高。
濺射技術：濺射是制備薄膜材料的主要技術之一，它利用離子源產生的離子，在真空中經過加速-，而形成高速度能的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發生動能交換，使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料，稱為濺射靶材。各種類型的濺射薄膜材料無論在半導體集成電路、太陽能光伏、記錄介質、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應用。
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