對于小于lum的石墨錐材微粒子，采用光透過法粒度自動(dòng)測定裝置。光透過法是在粉體沉降所產(chǎn)生懸浮液濃度的變化過程中，將光束射入，由粉體的光遮斷量，間接地測粒度分布。采用間接法，使操作手續(xù)---簡化。在微粉測定過程中，問題是粒子的凝聚。因此，用光透過法測定微粉粒度時(shí)，理想的濃度是做成含石墨錐0.05 %的低濃度懸浮液，并 加入適量的分散劑使其分散。這種方法詳述如下：
1、所使用的儀器設(shè)備和材料：
采用skc—2000型顆粒分析儀，島津石墨錐多少錢，sk型超聲波彌散器，微型電力攪拌器和3%羧纖維素溶液。
2、所用石墨錐試液的配制
測定石墨錐乳原料粒度的分散液按下述方法配制:在500ml蒸餾水中，加少許羧 纖維素粉末，島津石墨錐價(jià)格，充分?jǐn)嚢枋蛊渫耆芙猓胖?4h后測定粘度。將粘度調(diào)整為0.5 ~ lpa.ss， 即制成了分散液。取3g石墨錐粉末，放入研缽，加入3%羧纖維素溶液3g，用玻璃棒調(diào)和再加少許蒸餾水調(diào)整石墨錐試液。然后進(jìn)行試濃濃度調(diào)整，調(diào)整時(shí)在200ml的燒杯中， 加入100ml分散液，滴入一滴石墨錐試液，撹勻后用超聲波彌散器分散3min，然后將試液倒入樣品試管中。
3、顆粒粒度測定
測定前按規(guī)定調(diào)整好儀器，并用分散液進(jìn)行空白校正。調(diào)整好記錄筆，將樣品放入離心機(jī)，進(jìn)行離心沉降測定。以兩次測定結(jié)果的算術(shù)平均值作為測足結(jié)采。市量累積百分?jǐn)?shù)，各粒級兩次測定值之差不得超過6%，否則必須進(jìn)行第二次測量。以二次中不超過誤差標(biāo)準(zhǔn)的兩次測定值計(jì)算結(jié)果。整個(gè)粒度測定過程是在25 ± 2的恒溫室內(nèi)進(jìn)行。
高純石墨一般指含碳量在99.99%以上的石墨，在組織結(jié)構(gòu)上可分為粗顆粒結(jié)構(gòu)、細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)和超細(xì)顆粒結(jié)構(gòu)三類，高純石墨大量用于直拉單晶硅爐中。集成電路的基礎(chǔ)材料主要是硅單晶芯片，目前硅單晶的成長工藝主要采用直拉(cz)法，其他方法還有磁場直拉法(mcz)、區(qū)域(fz)法以及雙坩堝拉晶法，島津石墨錐，電子工業(yè)用直拉單晶硅約占單晶硅總用量的80%，直拉單晶硅爐中的石墨件是消耗品，采用高純石墨材料加工成直拉單晶硅爐的加熱系統(tǒng)。2005年中國需要直拉硅單晶爐用石墨約800t。
高純石墨另一重要用途是加工成各類坩堝，用于生產(chǎn)、稀有金屬或高純金屬、非金屬材料。光譜分析用石墨電極也是一種高純石墨，可用于除碳素以外的所有元素的光譜化學(xué)分析，島津石墨錐，光譜分析用石墨電極用擠壓方法成型。成品的雜質(zhì)元素含量應(yīng)不大于6*10-5在光譜分析中制備標(biāo)準(zhǔn)樣品和用化學(xué)方法捕集雜質(zhì)時(shí)需用光譜純炭粉或光譜純石墨粉，這兩種高純材料對雜質(zhì)含量的要求都是在6*10-5；在某些用途方面，需要含碳量達(dá)到99.9995%，總灰分含量小于5*10-6。高純石墨的成型方法有擠壓成型、模壓成型及等靜壓成型三種。
1、糊料的粘結(jié)劑用量過大或裝料溫度較高，糊料壓出后彈性回脹較大，應(yīng)力消失比較慢，均可能導(dǎo)致裂紋。裝料溫度較高時(shí)煙氣排除不凈，煙氣夾在糊料中，也易產(chǎn)生裂紋。
2、糊料的粘結(jié)劑用量過小或裝料溫度太低，糊料的塑性較差，糊料之間粘結(jié)力小，因而不易壓實(shí)，也易于產(chǎn)生裂紋。
3、擠壓嘴子及壓料室的溫度過高，緊靠擠壓嘴子及壓料室內(nèi)壁的糊料受到過分的加熱，因此與壓料室中心部分的糊料溫度相差較大，受壓后這兩種料擠出速度不一樣，壓出后的產(chǎn)品因表面與中心部分回脹系數(shù)不一致，這也容易產(chǎn)生裂紋。反過來說，擠壓嘴子和壓料室的加熱溫度較低，而中心部位糊料的溫度較高也會(huì)有一樣的后果。
4、涼料時(shí)糊料涼得不均勻，有時(shí)甚至把已冷成硬塊的糊料也加入壓料室內(nèi);而壓料室的加熱不---在短時(shí)間內(nèi)使糊料溫度達(dá)到均勻，在這種情況下擠壓出來往往也是造成石墨板表面裂紋的原因。
5、石墨錐離開擠壓嘴子后應(yīng)利用半圓形(對圓形截面石墨板)的或水平板(對方形截面石墨板)的接受臺(tái)托住。如果接受臺(tái)位置不當(dāng)，石墨板壓出后彎曲下垂過大也會(huì)造成產(chǎn)品的橫裂。
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