zno半導體室溫帶隙為3.37ev，且束縛激子能---60mev，使其在紫外半導體光電器件方---有很大潛在應用價值。在各種具有四面體結構的半導體材料中，氧化鋅有著高的壓電張量。該特性使得氧化鋅成為機械電耦合重要的材料之一。氧化鋅也被用于混凝土生產，氧化鋅晶體單晶襯底基片，因為它幫助提高混凝土耐水性和---需要的加工時間。這種無機化合物另外一個重要用途是作為煙過濾劑。
在各種具有四面體結構的半導體材料中，氧化鋅有著高的壓電張量。該特性使得氧化鋅成為機械電耦合重要的材料之一。改變正交表中的四個因素煅燒時間、分散介質、鋅銨比和煅燒溫度，云南氧化鋅晶體，氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，氧化鋅晶體襯底基片，但晶型保持不變。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發熔劑，使熔體過飽和而結晶的方法。
氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ⅱ-ⅵ族半導體材料，氧化鋅晶體單晶批發，具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。氧化鋅的熱穩定性和熱傳導性較好，而且沸點高，熱膨脹系數低，在陶瓷材料領域有用武之地。
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