氧化鋅晶體可控生長的關鍵是控制成核和生長過程，而試驗中各工藝參數決定著成核和生長過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。在氧化時間為90min，空氣流量為0.31/min，氮氣流量為0.31/min，鋅揮發溫度為900℃，晶體反應器溫度為1150℃時，我們制備出大尺寸的氧化鋅晶體，長度達到30mm，直徑達到1mm，實現了氧化鋅晶體尺寸的可控生長。zno是一種典型的寬帶隙半導體材料，氧化鋅晶體單晶批發，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，氧化鋅晶體，zno晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。
在各種具有四面體結構的半導體材料中，氧化鋅有著高的壓電張量。該特性使得氧化鋅成為機械電耦合重要的材料之一。改變正交表中的四個因素煅燒時間、分散介質、鋅銨比和煅燒溫度，氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，氧化鋅晶體多少錢，但晶型保持不變。助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發熔劑，氧化鋅晶體批發，使熔體過飽和而結晶的方法。
氧化鋅的能帶隙和激子束縛能較大，透明度高，有優異的常溫發光性能，在半導體領域的液晶顯示器、薄膜晶體管、發光二極管等產品中均有應用。改變正交表中的四個因素煅燒時間、分散介質、鋅銨比和煅燒溫度，氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。zno半導體室溫帶隙為3.37ev，且束縛激子能-60mev，使其在紫外半導體光電器件方-有很大潛在應用價值。
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