同方迪一講述瓷片電容技術參數的發展歷程
1900年意大利l.隆巴迪發明陶瓷介質電容 ;
30年代末人們發現在陶瓷中添加鈦酸鹽可使介電常數-增長,因而制造出較便宜的瓷介質電容 ;
1940年前后人們發現了現在的瓷片電容技術參數 的主要原材料batio3(鈦酸鋇)具有絕緣性后,開始將瓷片電容技術參數使用于對既小型、精度要求又-的-用電子設備當中。
1960年左右陶瓷疊片電容 作為商品開始開發。
1970年,隨著混合ic、計算機、以及便攜電子設備的進步也隨之迅速的發展起來,瓷片電容成為電子設備中不可缺少的零部件,而其中技術參數也是學者們研究的重點。
現在的陶瓷介質電容的全部數量約占電容 市場的70%左右。
高壓瓷片電容燒壞的原因介紹
一:潮濕對電參數惡化的影響。空氣中溫度過高, 會使高壓瓷片電容的表面絕緣電阻下降, 對于半密封結構電容器來說,水分會滲透到電容器的介質內部使電容器介質的絕緣電阻絕緣能力下降。因此,高溫,高濕環境對瓷片電容的損壞影響較大。
二:銀離子的遷移。無機介質電容器多半采用銀電極,半密封電容器在高溫條件下工作,滲入電容器內部的水分子產生電解。產生氧化反應,銀離子與氫氧根離子結合產生氫氧化銀。由于電極反應,銀離子遷移不僅發生在無機介質表面,還擴散到無機介質內部,引起漏電流增大,插件瓷片電容器供應,-時會使兩個銀電極之間完全短路,湖北瓷片電容器供應,導致高壓瓷片電容損壞或擊穿。
三:有的高壓瓷片電容,在運用測試操作時,電容器投入時的電流過大,無任何無電壓保護措施,也無串聯電抗器,陶瓷瓷片電容器供應,使電容器過熱,絕緣降低或損壞,如果操作頻繁,也會影響陶瓷電容損壞,甚至炸掉。
四:從單顆瓷片電容分析,電容碰到了-的電流,導致內部材料-,散熱不及時,造成熱擊穿損壞。
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