振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公-期購(gòu)置:天價(jià)回收硅片,電池片,初中級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽(yáng)電池,太陽(yáng)能電池裸片回收,太陽(yáng)能組件,太陽(yáng)能光伏板,顧客撤離,退級(jí),庫(kù)存量,el,欠佳檢測(cè),2手,舊,工程項(xiàng)目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,-限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗(yàn)板,負(fù)債-,返修,太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。
收購(gòu)碎電池片的方式
電池片切開(kāi):將單晶硅棒切割成具備-幾何圖形規(guī)格的薄硅片。此全過(guò)程中造成的硅粉選用水淋,造成污水和硅渣。
電池片淬火:雙工裝夾具熱氧化爐經(jīng)n2吹掃后,用紅外線加溫至300~500℃,硅片表層和co2產(chǎn)生反映,使硅片表層產(chǎn)生sio2保護(hù)層厚度。
電池片倒角:將淬火的硅片開(kāi)展整修成圓弧狀,避免硅片邊沿裂開(kāi)及晶格常數(shù)缺點(diǎn)造成,提升磊晶層及光阻層的平整度。此全過(guò)程中造成的硅粉選用水淋,造成污水和硅渣。
振鑫焱光伏科技有限責(zé)任公-期購(gòu)置:天價(jià)回收硅片,電池片,初中級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽(yáng)電池,太陽(yáng)能組件,太陽(yáng)能光伏板,顧客撤離,退級(jí),庫(kù)存量,el,欠佳檢測(cè),2手,舊工程項(xiàng)目,拆裝,道路路燈,拆卸發(fā)電廠,拆裝,人造板,層壓板,-限結(jié)晶硅,多晶硅,單晶硅,試驗(yàn)板,負(fù)債-,返修,太陽(yáng)能發(fā)電控制模塊收購(gòu)等。
電池片各工藝流程危害要素及異常現(xiàn)象
一回清理危害要素
1.溫度
溫度過(guò)高,先就是說(shuō)ipa不太好-,溫度一高,ipa的蒸發(fā)迅速,汽泡印就會(huì)隨著出-,那樣就大大減少了pn結(jié)的合理總面積,反映加重,還會(huì)出-影片的飄浮,導(dǎo)致殘片率的提升。可控性水平:調(diào)整設(shè)備的設(shè)定,能夠-的調(diào)整溫度。
2.時(shí)間金字塔式隨時(shí)間的轉(zhuǎn)變:金字塔式慢慢冒出;表層上基礎(chǔ)被小金字塔式遮蓋,太陽(yáng)能電池片回收公司,少數(shù)剛開(kāi)始成才;金字塔式滿布的絨面早已產(chǎn)生,僅僅尺寸不勻稱(chēng),透射率也降至較為低的狀況;金字塔式向外擴(kuò)大企業(yè)兼并,容積慢慢澎漲,規(guī)格趨向平等,透射率略微降低。可控性水平:調(diào)整機(jī)器設(shè)備主要參數(shù),能夠-的調(diào)整時(shí)間。
3.ipa1.幫助氡氣的釋放出來(lái)。2.變?nèi)鮪aoh水溶液對(duì)硅片的浸蝕幅度,調(diào)整各向系數(shù)。純naoh水溶液在高溫下對(duì)分子排序較為-的100晶面和較為高密度的111晶面毀壞較為大,每個(gè)晶面被浸蝕而消溶,ipa-變?nèi)鮪aoh的浸蝕抗壓強(qiáng)度,提升了浸蝕的各向-,有益于金字塔式的成型。酒精含水量過(guò)高,堿水溶液對(duì)硅水溶液浸蝕工作能力越來(lái)越太弱,各向-系數(shù)又趨向3。可控性水平:依據(jù)初次配液的含水量,及每一次大概耗費(fèi)的量,來(lái)填補(bǔ)足量的液-,線性度不高。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購(gòu):回收硅片,電池片,初級(jí)多晶硅,銀漿布,單晶硅,多晶硅,太陽(yáng)能電池,長(zhǎng)治太陽(yáng)能電池片回收,光伏組件,太陽(yáng)能電池板,客戶撤退,降級(jí),庫(kù)存,el,-測(cè)試,二手,舊工程,拆卸,太陽(yáng)能電池片回收多少錢(qián),路燈,拆解電站,拆卸,膠合板,層壓板,無(wú)邊界晶體硅,多晶硅,單晶硅,實(shí)驗(yàn)板,-償還,返工,光伏模塊回收等。
電池片流程
1、 車(chē)間段位構(gòu)成
whq :硅片為太陽(yáng)能電池片的載體,硅片的決定了電池片的轉(zhuǎn)換效率。而該工序則是對(duì)硅片的來(lái)料檢測(cè),主要是包括厚度, ttv ,電阻率,外觀 破片,缺角,孔洞,臟污
需注意 :
1) 切割方向會(huì)厚薄不均,放片時(shí)需 180 度錯(cuò)落放置以-放入載體厚薄均勻,切割方向需要垂直與印刷 細(xì) 柵方向,預(yù)防水波紋出現(xiàn)。
2) 線痕: 單線痕
密集線痕
3 原硅片因切割后因有清洗所以會(huì)有粘度導(dǎo)致原硅片粘連,放置時(shí)需輕微搖晃。
制絨: 目的:去除表面損傷層,對(duì)表面進(jìn)行凹凸處理 ,清楚表面硅酸鈉,氧化物,油污以及金屬。以提高光電轉(zhuǎn)換率。
需注意 :
減重 ,活性不均勻會(huì)影響到后面 pevcd 工序使硅片出現(xiàn)問(wèn)題制絨過(guò)程中, 制絨面朝下,裝入載體,載體單孔面為制絨面。在制品時(shí)間為兩小時(shí),兩小時(shí)內(nèi)要及時(shí)送入下一工序。