氧化鋅zno是ⅱ-ⅵ族纖鋅礦結構的半導體材料，禁帶寬度為3.37ev；另外，其激子束縛能(60mev)比gan(24mev)、zns(39mev)。大尺寸氧化鋅晶體的形態可控生長的關鍵是控制成核和生長過程。晶核的結晶形態決定著晶體的形態，生長過程的環境條件也影響著晶體的生長過程。zno是一種典型的寬帶隙半導體材料，天津氧化鋅晶體，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，zno晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。
氧化鋅是一種常用的化學添加劑，氧化鋅晶體供應商，廣泛地應用于塑料、硅酸鹽制品、合成橡膠、潤滑油、油漆涂料、---、粘合劑、食品、電池、阻燃劑等產品的制作中。氧化鋅是一種無機化合物，它是一種白---末物質，在水和酒精中都不能溶解，氧化鋅晶體批發，但可以在大多數酸中溶解(包括---)。zno半導體室溫帶隙為3.37ev，且束縛激子能---60mev，使其在紫外半導體光電器件方---有很大潛在應用價值。
改變正交表中的四個因素煅燒時間、分散介質、鋅銨比和煅燒溫度，氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，但晶型保持不變。氧化鋅是一種無機化合物，它是一種白---末物質，氧化鋅晶體單晶，在水和酒精中都不能溶解，但可以在大多數酸中溶解(包括---)。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。
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