氧化鋅晶體可控生長的關鍵是控制成核和生長過程，而試驗中各工藝參數決定著成核和生長過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。在氧化時間為90min，空氣流量為0.31/min，氮氣流量為0.31/min，鋅揮發溫度為900℃，晶體反應器溫度為1150℃時，我們制備出大尺寸的氧化鋅晶體，長度達到30mm，zno晶體價格，直徑達到1mm，實現了氧化鋅晶體尺寸的可控生長。zno是一種典型的寬帶隙半導體材料，昆明zno晶體，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，zno晶體的生長方法主要有氣相法，氧化鋅zno晶體，水熱法和助熔劑法。
zno半導體室溫帶隙為3.37ev，且束縛激子能---60mev，使其在紫外半導體光電器件方---有很大潛在應用價值。在各種具有四面體結構的半導體材料中，氧化鋅有著高的壓電張量。該特性使得氧化鋅成為機械電耦合重要的材料之一。氧化鋅也被用于混凝土生產，因為它幫助提高混凝土耐水性和---需要的加工時間。這種無機化合物另外一個重要用途是作為煙過濾劑。
氧化鋅是一種常用的化學添加劑，廣泛地應用于塑料、硅酸鹽制品、合成橡膠、潤滑油、油漆涂料、---、粘合劑、食品、電池、阻燃劑等產品的制作中。氧化鋅是一種無機化合物，它是一種白---末物質，zno晶體廠家，在水和酒精中都不能溶解，但可以在大多數酸中溶解(包括---)。zno半導體室溫帶隙為3.37ev，且束縛激子能---60mev，使其在紫外半導體光電器件方---有很大潛在應用價值。
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