通過大尺寸氧化鋅晶體的照片研究表明，晶體像一根長針，說明晶體沿一個方向生長，zno晶體，從xrd看出，(000ι)為主要生長方向，這與通常---的氧化鋅具有沿+c軸取向生長的機理相同。當(dāng)前生長氧化鋅體單晶的方法主要有助熔劑法、水熱法、氣象沉積法、坩鍋下降法等等。氧化鋅zno單晶是具有半導(dǎo)體、發(fā)光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是移動通訊基片材料和閃爍材料。
氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ⅱ-ⅵ族半導(dǎo)體材料，氧化鋅zno晶體，具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，其可直接躍遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。氧化鋅的熱穩(wěn)定性和熱傳導(dǎo)性較好，zno晶體廠家，而且沸點高，熱膨脹系數(shù)低，zno晶體基片，在陶瓷材料領(lǐng)域有用武之地。
氧化鋅zno是ⅱ-ⅵ族纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.37ev；另外，其激子束縛能(60mev)比gan(24mev)、zns(39mev)。大尺寸氧化鋅晶體的形態(tài)可控生長的關(guān)鍵是控制成核和生長過程。晶核的結(jié)晶形態(tài)決定著晶體的形態(tài)，生長過程的環(huán)境條件也影響著晶體的生長過程。zno是一種典型的寬帶隙半導(dǎo)體材料，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，zno晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。
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