250度直插電容
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離子遷移可---破壞正電極表面銀層,引線焊點與電極表面銀層之間,150度電容,間隔著具有半導體性質的氧化銀,使無介質電容器的等效串聯電阻增大,北京150度電容代理,金屬部分損耗增加,電容器的損耗角正切值-上升。
由于正電極有效面積減小,電容器的電容量會因此而下降。表面絕緣電阻則因無機介質電容器兩電極間介質表面上存在氧化銀半導體而降低。銀離子遷移---時,兩電極間搭起樹枝狀的銀橋,使電容器的絕緣電阻大幅度下降。
綜上所述,銀離子遷移不僅會使非密封無機介質電容器電性能惡化,而且可能引起介質擊穿場強下降,后導-容器擊穿。
160度高溫電容
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積層陶瓷電容器,其具備:層疊有多層電介質層的積層體,分別位于積層體的相對的側面的-以及第2端電極,在積層體內沿該積層體的積層方向同時設置的多個內部電極群。各內部電極群具有:與-端電極連接的-內部電極,與第2端電極連接的第2內部電極,與-以及第2端電極都不連接的第3內部電極。-內部電極、第2內部電極和第3內部電極被配置為使電介質層夾在其之間,從而在所述-內部電極和所述第2內部電極之間形成多個串聯連接的電容分量。在位于積層體的積層方向上外側的內部電極群上形成的電容分量的數量,比在與位于外側的所述內部電極群相比位于內側位置的內部電極群上形成的電容分量的數量多。
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