芯片層面：
一直以追求高的發光效率為led芯片技術發展的動力。倒裝技術是目前獲取大功率led芯片的主要技術之一，襯底材料中藍寶石和與之配套的垂直結構的激光襯底剝離技術(llo)和新型鍵合技術仍將在較長時間內占統治-。
但在不久的將來，采用金屬半導體結構，什么的路燈，---歐姆接觸，提高晶體，---電子遷移率和電注入效率，路燈燈桿，同時通過led芯片外形表面粗化和光子晶體，高反射率鏡面，透明電極---提取光效率，那時白光led的總效率可達到52%。
隨著led光效的提高，一方面芯片越做越小，在一定大小的外延片上可切割的芯片數越來越多，從而降低單顆芯片的成本，另一方面單芯片功率越做越大，如現在是3w，將來會往5w、10w發展。這對有功率要求的照明應用可以減少芯片使用數，降低應用系統的成本。
總之，倒裝法、高電壓、硅基氮化仍將是半導體照明芯片的發展方向。
三、設備蓄電池、地埋蓄電池箱
蓄電池埋設處不能有積水狀況發作。地埋蓄電池箱前應先挖作業坑，尺度一般為1米*1米*1米或(長度和寬度因蓄電池地埋箱標準而異，-因地區各異，要-在當地凍層以下)。開挖后要用地線探察地下有無障礙物及地下管線，如有應平穩讓開，切忌野蠻施工。檢測蓄電池電壓高于12。6伏(12伏系統)的為合格，蘇州路燈，然后將蓄電池水平放置在蓄電池箱內，將其固定健壯，-電池端子亮光無污，-時用鋼絲刷或砂紙將端子打磨亮光，健壯的接好蓄電池輸出電線(正、負極分隔)，兩根電線外套一根鋼絲軟管，再套于蓄電池箱的穿線嘴上(重合長度約25毫米)，并選用雙鋼絲式環箍居中緊固。做好防水、防腐、防短路、保溫處理，然后蓋好蓄電池箱上蓋，做防水處理。作業坑挖好后開端埋蓄電池箱，找好蓄電池箱的水平度，預埋穿線管(保護管)內徑不得小于所穿鋼絲軟管外徑的1。5倍，保護管有彎曲時不得小于2倍，避免死彎。保護管不得有穿孔、裂縫和凸凹不平的缺點，內壁應光滑刺，內無雜物。鋼絲軟管由下向上穿出地面，設備完畢后回填土方恢復路面原樣，將施工場所整理潔凈。
登錄后臺
