通過特殊條件下不同方法制備氧化鋅晶體的生長機(jī)理及其添加劑的作用機(jī)理研究，貴州氧化鋅晶體，實(shí)現(xiàn)了氧化鋅晶體的大小、形貌在一定范圍內(nèi)的可控制備。以-和naoh為原料，在水熱條件下成功制備出梭狀、片狀和棒狀的納米級氧化鋅晶體，確定了適宜的反應(yīng)條件，實(shí)現(xiàn)了納米氧化鋅形貌的可控制備；制備出具有-紅外吸收特性的鐵元素和鈷元素?fù)诫s的納米級片狀氧化鋅晶體。
氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。 氧化鋅zno晶體在1975℃同成分熔化，在較高的溫度下非常不穩(wěn)定，不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學(xué)氣相輸運(yùn)法、水熱法和助熔劑法生長。常見的氧化鋅zno屬六方晶系，纖鋅礦結(jié)構(gòu)，點(diǎn)群為6mm，zno晶體中，z離子和o離子沿c軸交替堆積，(o001)面終結(jié)于正電荷z離子，(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷o離子，氧化鋅晶體單晶廠家，因此，氧化鋅zno單晶具有極性。
眾所周知氧化鋅zno作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有纖鋅礦結(jié)構(gòu)，在室溫下具有較強(qiáng)的激光發(fā)射性能，特殊形貌的氧化鋅在上述諸多方面的優(yōu)-能正在被開發(fā)，氧化鋅晶體單晶襯底基片，為此，各種形貌氧化鋅晶體的可控制備研究引起了人們的廣泛興趣。目前，生長氧化鋅zno單晶體的方法有cvt、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長出2~3英寸的zno晶體，這證明水熱法是一種生長高、大尺寸zno單晶體的有效的方法。
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