改變正交表中的四個因素煅燒時間、分散介質(zhì)、鋅銨比和煅燒溫度，氧化鋅的粒徑和形貌不斷變化，氧化鋅晶體襯底基片，但晶型保持不變。氧化鋅是一種無機化合物，它是一種白---末物質(zhì)，在水和酒精中都不能溶解，氧化鋅晶體價格，但可以在大多數(shù)酸中溶解(包括---)。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，其可直接躍遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。
在玻璃工業(yè)中，氧化鋅用在特種玻璃制品中，在陶瓷工業(yè)中，氧化鋅用作助熔劑，在印染工業(yè)中，氧化鋅用作防染劑;在電子工業(yè)中，氧化鋅既是壓敏電阻的主原料，也是磁性、光學(xué)等材料的-添加劑。在氧化時間為90min，空氣流量為0.31/min，氮氣流量為0.31/min，氧化鋅晶體單晶基片，鋅揮發(fā)溫度為900℃，晶體反應(yīng)器溫度為1150℃時，我們制備出大尺寸的氧化鋅晶體，長度達到30mm，直徑達到1mm，實現(xiàn)了氧化鋅晶體尺寸的可控生長。氧化鋅晶體可控生長的關(guān)鍵是控制成核和生長過程，而試驗中各工藝參數(shù)決定著成核和生長過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。
氧化鋅zno是ⅱ-ⅵ族纖鋅礦結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體材料，禁帶寬度為3.37ev；另外，其激子束縛能(60mev)比gan(24mev)、zns(39mev)。大尺寸氧化鋅晶體的形態(tài)可控生長的關(guān)鍵是控制成核和生長過程。晶核的結(jié)晶形態(tài)決定著晶體的形態(tài)，生長過程的環(huán)境條件也影響著晶體的生長過程。zno是一種典型的寬帶隙半導(dǎo)體材料，廣西氧化鋅晶體，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，zno晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。
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