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影響因素
1. 溫度
溫度過高，首先就是 ipa不好控制，溫度一高， ipa 的揮發(fā)很快，氣泡印就會隨之出現(xiàn)，這樣就大大減少了 pn 結(jié)的有效面積，反應(yīng)加劇 ， 還會出現(xiàn)片子的漂浮，造成碎片率的增加。
可控程度：調(diào)節(jié)機器的設(shè)置，可以-的調(diào)節(jié)溫度。
2. 時間
金字塔隨時間的變化：金字塔逐漸冒出來；表面上基本被小金字塔覆蓋，少數(shù)開始成長；金字塔密布的絨面已經(jīng)形成，只是大小不均勻，反射率也降到比較低的情況；金字塔向外擴張兼并，體積逐漸膨脹，尺寸趨于均等，反射率略有下降。可控程度：調(diào)節(jié)設(shè)備參數(shù)，可以調(diào)節(jié)時間。
3.ipa
1. 協(xié)助氫氣的釋放。 2. 減弱 naoh 溶液對硅片的腐蝕力度，調(diào)節(jié)各向因子。純 naoh 溶液在高溫下對原子排列比較稀疏的 100 晶面和比較致密的 111 晶面破壞比較大，各個晶面被腐蝕而消融， ipa 明顯減弱 naoh 的腐蝕強度，增加了腐蝕的各向---，有利于金字塔的成形。---含量過高，堿溶液對硅溶液腐蝕能力變得很弱，回收電池板電話，各向---因子又趨于 1 。
可控程度：根據(jù)配液的含量，及每次大約消耗的量，來補充一定量的液體，控制精度不高。
4.naoh
形成金字塔絨面。 naoh濃度越高，金字塔體積越小，反應(yīng)初期，金字塔成核密度近似不受 naoh 濃度影響，堿溶液的腐蝕性隨 naoh 濃度變化比較-，濃度高的 naoh 溶液與硅反映的速度加快，再反應(yīng)一段時間后，金字塔體積。 naoh 濃度超過一定界-，各向---因子變小，回收返修電池板，絨面會越來越差，類似于拋光。可控程度：與 ipa 類似，控制精度不高。
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外擴散種類
1.穩(wěn)定源外擴散：在穩(wěn)態(tài)外擴散的標準下，企業(yè)時間內(nèi)根據(jù)垂直平分外擴散方位的企業(yè)總面積的外擴散品質(zhì)與該橫截面處的濃度梯度正比。
2.---源外擴散：在再-全過程中，外擴散是在---源的標準下進有的，全部外擴散全過程的殘渣源，---于外擴散前積淀在硅片表層的---限薄層內(nèi)的殘渣總產(chǎn)量，沒有外地人殘渣填補即在硅片表層處的殘渣流相對密度。
生產(chǎn)車間應(yīng)用的是二步外擴散：預(yù)淀積外擴散。預(yù)擴散是穩(wěn)定源外擴散，關(guān)鍵是促使硅片表層汽體濃度值相同，維持整批方塊電阻是勻稱性。主外擴散是---源外擴散，而且在主外擴散后進入大氮汽體，做為推動汽體，增加pn結(jié)-。
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學反應(yīng)可以簡單寫成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技術(shù)原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電或另加-體使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。 pecvd 方法區(qū)別于其它 cvd 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的---能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離過程，生成活性-的各種化學基團，因而-降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 cvd 過程得以在低溫下實現(xiàn)。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化 < 450 ℃ 。
2. 節(jié)省能源，降低成本。
3. 提高產(chǎn)能。
4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
pe 設(shè)備有兩類：平板式和管式。
按反應(yīng)方式分為：直接式島津和間接式 roth ＆ rau 。
直接式：基片位于一個電極上，電池板，直接接觸等離子體。
間接式：基片不接觸激發(fā)電極。 在微波激發(fā)等離子的設(shè)備里，等離子產(chǎn)生在反應(yīng)腔之外，然后由石英管導入反應(yīng)腔中。在這種設(shè)備里微波只激發(fā) nh3 ，而 sih4 直接進入反應(yīng)腔。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多，這對-生產(chǎn)尤其重要。
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