氧化鋅晶體可控生長的關鍵是控制成核和生長過程，而試驗中各工藝參數決定著成核和生長過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。在氧化時間為90min，空氣流量為0.31/min，氮氣流量為0.31/min，鋅揮發溫度為900℃，晶體反應器溫度為1150℃時，我們制備出大尺寸的氧化鋅晶體，長度達到30mm，直徑達到1mm，廣西氧化鋅晶體單晶，實現了氧化鋅晶體尺寸的可控生長。zno是一種典型的寬帶隙半導體材料，高zno晶體的生長具有非常重要的研究意義。目前，zno晶體的生長方法主要有氣相法，水熱法和助熔劑法。
通過大尺寸氧化鋅晶體的照片研究表明，晶體像一根長針，說明晶體沿一個方向生長，氧化鋅晶體單晶批發，從xrd看出，氧化鋅晶體單晶價格，(000ι)為主要生長方向，這與通常---的氧化鋅具有沿+c軸取向生長的機理相同。氧化鋅晶體可控生長的關鍵是控制成核和生長過程，而試驗中各工藝參數決定著成核和生長過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍遷，氧化鋅晶體單晶廠，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。
當前生長氧化鋅體單晶的方法主要有助熔劑法、水熱法、氣象沉積法、坩鍋下降法等等。通過特殊條件下不同方法制備氧化鋅晶體的生長機理及其添加劑的作用機理研究，實現了氧化鋅晶體的大小、形貌在一定范圍內的可控制備。大尺寸氧化鋅晶體的形態可控生長的關鍵是控制成核和生長過程。晶核的結晶形態決定著晶體的形態，生長過程的環境條件也影響著晶體的生長過程。
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