振鑫焱光伏科技有限責任公---期購置：天價回收硅片，電池片，初中級多晶硅，銀漿布，單晶硅，昌吉逆變器，多晶硅，太陽電池，逆變器行情報價，太陽能組件，太陽能光伏板，顧客撤離，退級，庫存量，el，欠佳檢測，2手，舊，工程項目，拆裝，道路路燈，拆卸發電廠，拆裝，人造板，層壓板，---限結晶硅，多晶硅，單晶硅，試驗板，負債---，返修，太陽能發電控制模塊收購等。
報廢片：
超過缺點片的規定常出-的印刷圖型出現異常的緣故表明
1、電級掉下來疊片：硅片與料漿沒產生充足的鋁合金層換句-沒有產生好的觸碰。
2、斷開：有物品粘在鋼網上，導致堵網。解決方案：擦洗鋼網，回收el測試---逆變器，擦洗堵網地區。
3、跑模：鋼網有系統漏洞解決方案：較小且沒有細柵線上線下用封網漿將小圓孔封死就能。很大時務-拆換鋼網。另留意跑模干萬不可以漏在反面電級，那樣會使rsh并聯電阻過低。
4、粗點：鋼網損傷，刮條不整平解決方案：換鋼網，換刮條。
5、虛印：有時候會因為原料緣故造成如：據痕、薄厚不勻。其次跟刮條和鋼網也是關聯。解決方案：換鋼網或換刮條。
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電池片的檢測
一、檢測的標準
1．高于800lx的直射下，間距電池片30-50cm的間距，看著方位垂直平分電池片表層觀查。
二、檢測的方式 1、取放電池片時要輕拿小心輕放，125的電池片維持在1-2的檢驗速率，150及156的電池片要一整片一整片的開展查驗。
三、檢驗新項目1．色調偏色2．絨面色素斑3．亮斑4．裂痕、裂縫及破孔5．彎折的6．崩邊、豁口、掉角7．印刷偏位8．ttv9．鋁珠、鋁苞10．包裝印刷圖型11．跑模12．尺寸
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，---測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，---償還，返工，光伏模塊回收等。
影響因素
1 ．頻率
射頻 pecvd 系統大都采用 50khz~13.56 mhz 的工業頻段射頻電源。較高頻率 >;4mhz 沉積的氮化硅薄膜具有-的鈍化效果和穩定性。
2 ．射頻功率
增加 rf 功率通常會--- sin 膜的。但是，功率密度不宜過大，超過 1w/cm2 時器件會造成---的射頻損傷。
3 ．襯底溫度
pecvd 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能-氮化硅薄膜在hf 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有-的熱穩定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應力很大且為張應力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。
4 ．氣體流量
影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 sih4 。為了防止富硅膜，選擇nh3/sih4=2~20 體積比。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區下游反應氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以-沉積的均勻性。
5 ．反應氣體濃度
sih4 的百分比濃度及 sih4/nh3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質均有重大影響。
理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 sin 。因此，必須控制氣體中的 sih4 濃度，不宜過高，并采用較高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 ．反應壓力、和反應室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數。
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