眾所周知氧化鋅zno作為寬禁帶半導體材料，具有纖鋅礦結構，在室溫下具有較強的激光發射性能，在光學、電學、磁學、催化以及傳感器等方---有廣闊的應用前景，特殊形貌的氧化鋅在上述諸多方面的優---能正在被開發，為此，各種形貌氧化鋅晶體的可控制備研究引起了人們的廣泛興趣。氧化鋅zno晶體在1975℃同成分熔化，在較高的溫度下非常不穩定，不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。
通過特殊條件下不同方法制備氧化鋅晶體的生長機理及其添加劑的作用機理研究，氧化鋅晶體單晶價錢，實現了氧化鋅晶體的大小、形貌在一定范圍內的可控制備。以---和naoh為原料，在水熱條件下成功制備出梭狀、片狀和棒狀的納米級氧化鋅晶體，確定了適宜的反應條件，上海氧化鋅晶體單晶，實現了納米氧化鋅形貌的可控制備；制備出具有---紅外吸收特性的鐵元素和鈷元素摻雜的納米級片狀氧化鋅晶體。
以七水---鋅和碳---銨為原料，氧化鋅晶體單晶供應商，通過固相法合成不同形貌棒狀、球狀、紡錘狀和花狀的氧化鋅zno納米顆粒，利用正交實驗詳細研究煅燒時間、分散介質、鋅銨比七水---鋅和碳---銨物質的量之比和煅燒溫度對納米氧化鋅粒徑和形貌的影響，并采用x射線衍射儀xrd和場發射掃描電子顯微鏡fe-sem對得到的氧化鋅進行晶體類型和顆粒形貌表征。
登錄后臺
