氧化鋅zno的帶邊發(fā)射在紫外區(qū)，非常適宜作為白光led的激發(fā)光源材料，-了氧化鋅zno在半導(dǎo)體照明工程中的重要-，并且與sic、gan等其它的寬帶隙材料相比，氧化鋅zno晶體主要性能參數(shù)：晶體結(jié)構(gòu)：六方；晶格常數(shù)：a=3.252a c=5.313 a；密度：5.7g/cm3；硬度：4mohs；熔點(diǎn)：1975℃；熱膨脹系數(shù)：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c。
一種生長(zhǎng)氧化鋅晶體的方法，在真空下，通入保護(hù)氣，以氧化鋅的粉為粉源，氧化鋅晶體單晶廠家，將氧化鋅的粉加熱使其升華為氣體，所述升華的氣體在溫度梯度作用下被輸運(yùn)到氧化鋅籽晶表面且結(jié)晶生長(zhǎng).采用升華法生長(zhǎng)氧化鋅晶體裝置，加熱速度快，生長(zhǎng)室容易達(dá)到高真空，可通過改變工藝條件實(shí)現(xiàn)對(duì)氧化鋅晶體尺寸，生長(zhǎng)速度的控制，天津氧化鋅晶體，可獲得高大尺寸氧化鋅晶體;克服了現(xiàn)有技術(shù)生長(zhǎng)速率低的不足，且工藝設(shè)備要求簡(jiǎn)單，成本較低.
氧化鋅zno晶體具有四種晶體結(jié)構(gòu)，閃鋅礦結(jié)構(gòu)(與金剛石類似，可看成氧原子fcc排列，氧化鋅晶體多少錢，4個(gè)鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個(gè)碳原子的位置);nac結(jié)構(gòu);cscl結(jié)構(gòu)(氧原子簡(jiǎn)單立方排列，鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結(jié)構(gòu)(六方結(jié)構(gòu)，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。氧化鋅zno與gan的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是gan晶體生長(zhǎng)zui理想的襯底材料。
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