編輯：th
asemi低壓mos管 a09t/ 3400 30v的n道mos管
型號：a09t / 3400
封裝：sot-23
漏極電流vds：5.8a
漏源電壓id：30v
工作溫度：-55℃~150℃
封裝形式：貼片
種類：場效應晶體管mosfet/mos管
品牌：asemi
在對稱的mos管中，對source和drain的標注有一點任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。因此source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的，兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下，sym601mos場效應管，電路---必須認定一個是drain另一個是source。
編輯：th
asemi品牌 24n50 mos場效應管 插件封裝類型mosfet
型號：24n50
封裝：to-247/3p
漏極電流vds：24a
漏源電壓id：500v
工作溫度：-55℃~150℃
種類：場效應晶體管
品牌：asemi
編輯：th
mos管mosfet/場效應管的主要參數：
7. 極間電容
·三個電極之間都存在著極間電容:柵源電容cgs 、柵漏電容cgd和漏源電容cds
·cgs和cgd約為1~3pf，cds約在0.1~1pf之間
8. 低頻噪聲系數nf
·噪聲是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的。·由于它的存在，mos場效應管，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸出端也出現不規則的電壓或電流變化
·噪聲性能的大小通常用噪聲系數nf來表示，它的單位為分貝(db)。這個數值越小，代表管子所產生的噪聲越小
·低頻噪聲系數是在低頻范圍內測出的噪聲系數
·場效應管的噪聲系數約為幾個分貝，它比雙極性三極管的要小
登錄后臺
