采用化學(xué)氣相法在加熱溫度為300~500℃下進(jìn)行試驗(yàn)，加熱溫度對(duì)氧化鋅zno晶體的外觀形貌有很重要的影響。氧化鋅zno是一致熔融化合物，氧化鋅晶體單晶價(jià)格，熔點(diǎn)為1975℃。由于高溫下氧化鋅zno的揮發(fā)性很強(qiáng)，傳統(tǒng)的提拉法等熔體生長(zhǎng)工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶。目前，氧化鋅zno晶體體單晶的生長(zhǎng)方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長(zhǎng)法。采用水熱法，可以從koh和lioh混合水溶液中生長(zhǎng)zno晶體。晶體呈淺綠色或淺黃色，完整性較好，但尺寸還不夠大，難以滿足工業(yè)應(yīng)用的需求。
氧化鋅晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ⅱ-ⅵ族半導(dǎo)體材料，具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。zno半導(dǎo)體室溫帶隙為3.37ev，且束縛激子能-60mev，使其在紫外半導(dǎo)體光電器件方---有很大潛在應(yīng)用價(jià)值。制備難度和-的應(yīng)用前景使得氧化鋅晶體的生長(zhǎng)技術(shù)成為材料研究的-。氧化鋅晶體可控生長(zhǎng)的關(guān)鍵是控制成核和生長(zhǎng)過程，而試驗(yàn)中各工藝參數(shù)決定著成核和生長(zhǎng)過程，控制了氧化鋅晶體的尺寸。
常見的氧化鋅zno屬六方晶系，纖鋅礦結(jié)構(gòu)，點(diǎn)群為6mm，空間群為p6mc，z=2，a=0.32488mm，c=0.51969mm。zno晶體中，氧化鋅晶體單晶批發(fā)，z離子和o離子沿c軸交替堆積，(o001)面終結(jié)于正電荷z離子，氧化鋅晶體單晶價(jià)錢，(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷o離子，長(zhǎng)春氧化鋅晶體單晶，因此，氧化鋅zno單晶具有極性。采用化學(xué)氣相法在加熱溫度為300~500℃下進(jìn)行試驗(yàn)，加熱溫度對(duì)氧化鋅zno晶體的外觀形貌有很重要的影響。
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