氧化鋅晶體生長研究進展??
當前生長氧化鋅體單晶的方法主要有助熔劑法、水熱法、氣象沉積法、坩鍋下降法等等。
助熔劑法.助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發熔劑，使熔體過飽和而結晶的方法。采用這種方法制備氧---的是美國的nielsen等[12]人，得到(0001)取向的透明略微帶淺黃色的呈平板狀晶體(25mm!1mm)。1967年，美國的a.b.chase和juditha.osmer用同樣的助熔劑應用區域冷卻法(localizedcolling)在不同的溫度梯度下，氧化鋅晶體單晶批發，以不同的降溫速率，利用氧---的自發成核制成了5mm!5mm!3mm的晶體。
氧化鋅zno半導體室溫帶隙為3.37ev，氧化鋅晶體單晶價格，且束縛激子能-60mev，使其在紫外半導體光電器件方---有很大潛在應用價值。-的應用前景和制備難度使得zno晶體的生長技術成為材料研究的-。眾所周知氧化鋅zno作為寬禁帶半導體材料，具有纖鋅礦結構，在室溫下具有較強的激光發射性能，在光學、電學、磁學、催化以及傳感器等方---有廣闊的應用前景。
氧化鋅zno單晶是具有半導體、發光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高性1能的移動通訊基片材料和優1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅zno與gan的晶格失配度-小，是gan外延生長zui理想的襯底材料。常見的氧化鋅zno屬六方晶系，纖鋅礦結構，點群為6mm，氧化鋅晶體單晶價錢，空間群為p6mc，z=2，蘭州氧化鋅晶體單晶，a=0.32488mm，c=0.51969mm。zno晶體中，z離子和o離子沿c軸交替堆積，(o001)面終結于正電荷z離子，(0001)面終結于負電荷o離子，因此，氧化鋅zno單晶具有極性。
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