晶硅太陽能光伏板的制做全過程
3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽能電池片生產加工全過程中，根據有機化學浸蝕法也即把硅片放到---水溶液中侵泡，使其造成放熱反應轉化成可溶的絡和物---硅酸，以除去外擴散制結后在硅片表層產生的一層層磷硅玻璃。在外擴散全過程中，pocl3與o2反映轉化成p2o5淀積在硅片表層。p2o5與si反映又轉化成sio2和磷分子，那樣就在硅片表層產生一層層帶有磷原素的sio2，稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機器設備通常由本身、清理槽、伺服電機驅動器系統軟件、機械手臂、電氣系統和全自動配酸系統軟件等一部分構成，關鍵能源有---、n2、空氣壓縮、純凈水，熱排風系統和污水。---可以融解sio2由于---與sio2反映轉化成容易揮發的四---硅汽體。若---過多，反映轉化成的四---硅會深化與---反映轉化成可溶的絡和物---硅酸。
4、低溫等離子刻蝕因為在外擴散全過程中，即便選用背對背外擴散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴散上磷。pn結的反面所搜集到的光生電子器件會順著邊沿外擴散有磷的地區流進pn結的反面，而導致短路故障。因而，務必對太陽電池附近的夾雜硅開展刻蝕，以除去充電電池邊沿的pn結。一般 選用低溫等離子刻蝕技術性進行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體cf4的孕媽分子結構在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產生等離子技術。等離子技術是由感應起電的電子器件和正離子構成，反映波導管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開轉化成正離子外，還能---吸收動能并產生很多的特---基團。特---反映基團因為外擴散或是在靜電場功效下抵達sio2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產生放熱反應，并產生揮發物的反映反應物擺脫被刻蝕化學物質表層，被超濾裝置抽出來波導管。
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絲網印刷
基本原理
基本原理：利用網版圖文部分網孔透墨，非圖文部分網孔不透墨的基本原理進行印刷。印刷時在網版上加入漿料，刮膠對網版施加一定壓力，同時朝網版另一端移動。漿料在移動中從網孔中擠壓到承印物上，由于粘性作用而固著在一定范圍之內。由于網版與承印物之間保持一定的間隙，網版通過自身的張力產生對刮膠的回彈力，使網版與承印物只呈移動式線接觸，而其它部分與承印物為脫離狀態，漿料與絲網發生斷裂運動，-了印刷尺寸精度。刮膠刮過整個版面后抬起，同時網版也抬起，并通過回墨刀將漿料輕刮回初始位置，完成一個印刷行程。
絲網結構
網版，刮膠，漿料，印刷臺，承印物
漿料體系
銀鋁漿：背面導體，作為背電極，提供可焊性。
鋁漿：背面導體，作為背面電場，收集電流。
銀漿：正面導體，作為正電極，收集電荷。
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九、崩邊、豁口、掉角
充電電池邊沿崩邊喝豁口
---：其長短≤3mm，-1≤0.5mm，總數≤2處
b級：其長短≤5mm，-1≤1.0mm，總數≤3處
四邊豁口
---：規格≤1.5*1.5mm，總數≤1處
b級：規格≤2.0*2.0mm，總數≤1處
注：多晶硅---和b級均不容許有三邊形豁口和銳利行豁口，左右豁口都不能過電級(主柵線，副柵線)
超出b級范疇
多晶硅電池片超出了b級范疇，就立即做為缺點片。
多晶電池片超出了b級范疇，如合乎c級需切角片的規定，能作c級需切角片多
經容許邊緣有豁口包含三邊形豁口和銳利行豁口，對邊緣豁口聽規定給出
125任意邊緣破損≤18*18mm
150任意邊緣破損≤8*8mm
156任意邊緣破損≤14*14mm注：多晶電池片超過了c級片的規定，做為缺點片。---粉碎，無運用使用價值的做為報費片新的規范與舊的同樣。
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