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影響因素
1. 溫度
溫度 t 越高，擴散系數 d 越大，擴散速度越快。
2. 時間
對于恒定源：時間 t 越長結深越深，但表面濃度不變。
對于限定源：時間 t 越長結深越深，表面濃度越小。
3. 濃度
決定濃度是因素：氮氣流量、源溫。
表面濃度越大，擴散速度越快。
4. 第三組元
主要是摻硼量對擴散的影響，雜質增強擴散機制。在二元合金中加入第三元素時，擴散系數也會發生變化。摻硼量越大，擴散速率越快。即電阻率越小，越容易擴散。
控制點
方塊電阻，外觀，單片均勻性，整管均勻性。
方塊電阻： 表面為正方形的半導體薄層在電流方向所呈現的電阻。 r= 電阻率 *l/s， 對方塊硅片，長度等于寬度，則 r= 電阻率 / 厚度，方塊電阻～ ( １／ ns*xj) ns ：電化學濃度， xj ：擴散結深。
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四、色調偏色
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1、多晶硅片：單個充電電池的色調勻稱相同，色調的范疇從深藍色剛開始，經暗藍色、鮮紅色、棕褐色、到深褐色中間容許相仿色的偏色深藍色和暗藍色存有單個充電電池上，但不容許跳色，行為主體色調為暗藍色，太陽能板，單個充電電池容許二種色調。2、多晶硅電池片：同一整片電池片色調勻稱相同，色調范疇中沒有深褐色，別的同多晶---的辨別。新的規范：片式上勻稱相同的不一樣色調的電池片，依照淡藍色、深藍色、鮮紅色幾種開展歸類。
b級
1、多晶硅片：單個充電電池色調不勻稱，容許存有跳色偏色，數跳1個相仿色比如：鮮紅色和深褐色存有于單個充電電池上，行為主體色調為深藍色-鮮紅色范疇，單個充電電池個容許存有幾種色調。
2、多晶硅電池片：與多晶電池片對比，只少了行為主體色調，別的同多晶b級的辨別。新的規范：與舊規范同樣
c級
1．多晶硅片：同一整片充電電池容許色調不勻稱深藍色-暗藍色-鮮紅色-棕褐色-深褐色容許存有跳色偏色，以電池片上能夠有***2個相仿色。
2．多晶硅電池片：與多晶電池片對比，色調范疇中少了深褐色，其他同多晶c級的辨別。新的規范：與舊規范同樣注：當片式上為勻稱相同獲得不一樣色調，判為---，但需依照淡藍色、深藍色、鮮紅色幾種開展單測單包。
振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，回收報廢太陽能板價格，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，---測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，---償還，返工，光伏模塊回收等。
pecvd
pe 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學反應可以簡單寫成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電或另加---體使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜。 pecvd 方法區別于其它 cvd 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的---能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性-的各種化學基團，因而-降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 cvd 過程得以在低溫下實現。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化 < 450 ℃ 。
2. 節省能源，降低成本。
3. 提高產能。
4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
pe 設備有兩類：平板式和管式。
按反應方式分為：直接式島津和間接式 roth ＆ rau 。
直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。
間接式：基片不接觸激發電極。 在微波激發等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發 nh3 ，而 sih4 直接進入反應腔。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多，這對-生產尤其重要。
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