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奧氏體不銹鋼具有-的抗均勻腐蝕的性能，但在局部抗腐蝕方面，仍存在下列問題：

1.奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕

奧氏作不銹鋼在450~850℃保溫或緩慢冷卻時，會出現晶問腐蝕。含碳量越高，晶間蝕傾向性越大。此外，在焊接件的熱影響區也會出現晶間腐蝕。這是由于在晶界上析出富cr的cr23c6。使其周圍基體產生貧鉻區，不銹鋼樓梯踏步加工廠，從而形成腐蝕原電池而造成的。這種晶間腐蝕現象在前面提到的鐵素體不銹鋼中也是存在的。

工程上常采用以下幾種方法防止晶間腐蝕：

(1)降低鋼中的碳量，使鋼中合碳量低于平衡狀態下在奧氏體內的飽和溶解度，即從-上解決了鉻的碳化物(cr23c6)在晶界上析出的問題。通常鋼中合碳量降至0.03%以下即可滿足抗晶間腐蝕性能的要求。

(2)加入ti、nb等能形成穩定碳化物(tic或nbc)的元素，避免在晶界上析出cr23c6，陽曲不銹鋼樓梯踏步，即可防上奧氏體不銹鋼的晶間腐蝕。

(3)通過調整鋼中奧氏體形成元素與鐵素體形成元素的比例，使其具有奧氏體+鐵索體雙相組織，其中鐵素體占5%一12%。這種雙相組織不易產生晶間腐蝕。

(4)采用適當熱處理工藝，可以防止晶間腐蝕，獲得------的耐蝕性。