振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，-測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，-償還，返工，光伏模塊回收等。
六、 虛印：
1、 網版堵塞：用醇先擦一遍，再用干無塵布擦干；
2、 印刷刮刀條不平:更換刮刀條；
3、 網版不合格：更換網版；
4、 車間溫度與濕度不合適：溫度控制在22±2℃，濕度控制在50±3%；
5、 印刷參數不合格：調整印刷壓力、印刷間隙與印刷速度
6、 工作臺板不平，磨損-：檢查更換工作臺板；
7、 印-導軌不平：設備重新調整導軌；
七、 粗線：
1、 原硅片為線痕片：控制線痕原硅片；
2、 網版使用次數太多，張力不夠：更換新網版。
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學反應可以簡單寫成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電或另加-體使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜。 pecvd 方法區別于其它 cvd 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的-能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性-的各種化學基團，因而-降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍，使得原來需要在高溫下才能進行的 cvd 過程得以在低溫下實現。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化 < 450 ℃ 。
2. 節省能源，降低成本。
3. 提高產能。
4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
pe 設備有兩類：平板式和管式。
按反應方式分為：直接式島津和間接式 roth ＆ rau 。
直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。
間接式：基片不接觸激發電極。 在微波激發等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發 nh3 ，而 sih4 直接進入反應腔。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多，這對-生產尤其重要。
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單晶硅太陽能電池片
太陽能電池片特性
光電轉換-，-性高。
-的擴散技術，-擴散的均勻性。
-的 pecvd 成膜技術，給電池表面鍍上深藍色的氮化硅減反射膜，顏色均勻美觀。
應用-的金屬漿料制作背場和電極，--的導電性、-的附著力和-的電極可焊性。
-的絲網印刷和高平整度，使得電池易于自動焊接和激光切割。
a--- 電池邊長 ;
b--- 正面主柵線背面電極中心間距;
c--- 正面主柵線背面電極中心到電池邊沿距離 ;
d--- 細柵線末端到電池邊沿距離;
e--- 正面主柵線寬度 ;
f--- 鋁背場邊到電池邊沿距離 ;
g--- 背電極寬度 ;
h--- 電池對角線長度 ;
i--- 背電極頂端到電池邊沿距離
單位： mn
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