氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導體材料，具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅zno晶體主要性能參數：晶體結構：六方；晶格常數：a=3.252a c=5.313 a；密度：5.7g/cm3；硬度：4mohs；熔點：1975℃；熱膨脹系數：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導：0.006 cal/cm/k。
氧化鋅晶體生長研究進展??
當前生長氧化鋅體單晶的方法主要有助熔劑法、水熱法、氣象沉積法、坩鍋下降法等等。
助熔劑法.助熔劑法是利用助熔劑使晶體形成溫度較低的飽和熔體，通過緩慢冷卻或在恒定溫度下通過蒸發熔劑，使熔體過飽和而結晶的方法。采用這種方法制備氧---的是美國的nielsen等[12]人，得到(0001)取向的透明略微帶淺黃色的呈平板狀晶體(25mm!1mm)。1967年，美國的a.b.chase和juditha.osmer用同樣的助熔劑應用區域冷卻法(localizedcolling)在不同的溫度梯度下，以不同的降溫速率，廣西氧化鋅晶體單晶，利用氧---的自發成核制成了5mm!5mm!3mm的晶體。
采用化學氣相法在加熱溫度為300~500℃下進行試驗，氧化鋅晶體單晶價格，加熱溫度對氧化鋅zno晶體的外觀形貌有很重要的影響。氧化鋅zno是一致熔融化合物，熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅zno的揮發性很強，傳統的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶。目前，氧化鋅晶體單晶供應商，氧化鋅zno晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長法。采用水熱法，可以從koh和lioh混合水溶液中生長zno晶體。晶體呈淺綠色或淺黃色，完整性較好，但尺寸還不夠大，難以滿足工業應用的需求。
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