氧化鋅zno單晶是具有半導體、發光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高1性能的移動通訊基片材料和優1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅zno與gan的晶格失配度---小，是gan外延生長zui理想的襯底材料。氧化鋅zno具有高熔點、高揮發性和強極性等特征，使得晶體生長十分困難。目前zno晶體生長技術主要有助熔劑法、水熱法、氣相法等幾種。
一種生長氧化鋅晶體的方法，在真空下，通入保護氣，江蘇氧化鋅晶體，以氧化鋅的粉為粉源，將氧化鋅的粉加熱使其升華為氣體，所述升華的氣體在溫度梯度作用下被輸運到氧化鋅籽晶表面且結晶生長.采用升華法生長氧化鋅晶體裝置，加熱速度快，生長室容易達到高真空，可通過改變工藝條件實現對氧化鋅晶體尺寸，生長速度的控制，氧化鋅晶體供應商，可獲得高大尺寸氧化鋅晶體;克服了現有技術生長速率低的不足，氧化鋅晶體單晶供應商，且工藝設備要求簡單，氧化鋅晶體廠家，成本較低.
氧化鋅zno的帶邊發射在紫外區，非常適宜作為白光led的激發光源材料，---了氧化鋅zno在半導體照明工程中的重要---，并且與sic、gan等其它的寬帶隙材料相比，氧化鋅zno晶體主要性能參數：晶體結構：六方；晶格常數：a=3.252a c=5.313 a；密度：5.7g/cm3；硬度：4mohs；熔點：1975℃；熱膨脹系數：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c。
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