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影響因素
1 ．頻率
射頻 pecvd 系統大都采用 50khz~13.56 mhz 的工業頻段射頻電源。較高頻率 >;4mhz 沉積的氮化硅薄膜具有-的鈍化---和穩定性。
2 ．射頻功率
增加 rf 功率通常會--- sin 膜的。但是，功率密度不宜過大，超過 1w/cm2 時器件會造成---的射頻損傷。
3 ．襯底溫度
pecvd 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能-氮化硅薄膜在hf 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有-的熱穩定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應力很大且為張應力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。
4 ．氣體流量
影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 sih4 。為了防止富硅膜，選擇nh3/sih4=2~20 體積比。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區下游反應氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以-沉積的均勻性。
5 ．反應氣體濃度
sih4 的百分比濃度及 sih4/nh3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質均有重大影響。
理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 sin 。因此，必須控制氣體中的 sih4 濃度，不宜過高，并采用較高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 ．反應壓力、和反應室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數。
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四、色調偏色
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1、多晶硅片：單個充電電池的色調勻稱相同，色調的范疇從深藍色剛開始，經暗藍色、鮮紅色、棕褐色、到深褐色中間容許相仿色的偏色深藍色和暗藍色存有單個充電電池上，但不容許跳色，行為主體色調為暗藍色，單個充電電池容許二種色調。2、多晶硅電池片：同一整片電池片色調勻稱相同，色調范疇中沒有深褐色，別的同多晶---的辨別。新的規范：片式上勻稱相同的不一樣色調的電池片，依照淡藍色、深藍色、鮮紅色幾種開展歸類。
b級
1、多晶硅片：單個充電電池色調不勻稱，容許存有跳色偏色，數跳1個相仿色比如：鮮紅色和深褐色存有于單個充電電池上，行為主體色調為深藍色-鮮紅色范疇，單個充電電池個容許存有幾種色調。
2、多晶硅電池片：與多晶電池片對比，只少了行為主體色調，別的同多晶b級的辨別。新的規范：與舊規范同樣
c級
1．多晶硅片：同一整片充電電池容許色調不勻稱深藍色-暗藍色-鮮紅色-棕褐色-深褐色容許存有跳色偏色，以電池片上能夠有***2個相仿色。
2．多晶硅電池片：與多晶電池片對比，色調范疇中少了深褐色，其他同多晶c級的辨別。新的規范：與舊規范同樣注：當片式上為勻稱相同獲得不一樣色調，判為---，但需依照淡藍色、深藍色、鮮紅色幾種開展單測單包。
電池片的檢驗
一十三、印刷圖型
主柵線：
---：主柵線容許有輕度斷開、缺少、歪曲、突顯，斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況燒糊、變黃
新的規范：主柵大小勻稱，不容許有斷開，缺少、歪曲及其突顯。
b級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的10%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況燒糊、變黃
新的規范：主柵大小勻稱，容許有斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的5%，歪曲突顯不超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況燒糊、變黃
c級：斷開和缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲突顯部超出一切正常部位的0.2mm，不容許有掉色狀況
新的規范：主柵線：斷開，缺少總面積不超出主柵線總面積的20%，歪曲、突顯不超出一切正常部位的0.5mm，
副柵線：
---：副柵線容許大小不勻稱，存有總寬超過0.13mm，低于18mm的副柵線，段柵線≤6條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的5%.
新的規范：副柵線清楚，容許有兩根柵線存有斷開，斷掉總數≤3條，斷掉間距≤0.5mm；不容許有一切虛印、粗點；不容許有掉色狀況。
b級：容許大小不勻稱，存有總寬≤0.25mm的副柵線，段柵線≤10條，斷開間距≤2mm，容許有輕度虛印、缺印，總面積低于電級占地面積的10%.
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