pcvd的工藝裝置由沉積室、反應物輸送系統、放電電源、真空系統及檢測系統組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質，經調節裝置得到所需要的流量，再與源物質同時被送進沉積室，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產物，并沉積在工件或基片表面。所以，pcvd工藝既包括等離子體物理過程，真空鍍膜設備廠，又包括等離子體化學反應過程。
1化學氣相沉積cvd反應溫度一般在900~1200℃，中溫cvd例如mocvd金屬有機化合物化學氣相沉積，反應溫度在500~800℃。若通過氣相反應的能量，還可把反應溫度降低。
“輔助”cvd的工藝較多，主要有：
電子輔助cvdeacvd也稱為電子束輔助cvd，眼鏡鍍膜設備，電子增強cvd，或電子束---cvd，涂層的形成在電子作用下得到改進。
激光輔助cvdlacvd)，也稱為激光cvd或光子輔助cvd，鍍膜設備，涂層的形成在激光輻照作用下得到改進。
熱絲cvd，也稱為熱cvd，一根熱絲放在被鍍物件附近進行沉積。
金屬有機化合物cvdmocvd，玻璃鍍膜設備，是在一種有機金屬化合物氣氛這種氣氛在室溫時是穩定的，但在高溫下分解中進行沉積。
借助一種惰性氣體的輝光放電使金屬或合金蒸汽離子化。離子鍍包括鍍膜材料如tin，tic的受熱、蒸發、沉積過程。
蒸發的鍍膜材料原子在經過輝光區時，一小部分發生電離，并在電場的作用下飛向工件，以幾千電子伏的能量射到工件表面，可以打入基體約幾納米的---，從而---提高了涂層的結合力，而未經電離的蒸發材料原子直接在工件上沉積成膜。惰性氣體離子與鍍膜材料離子在工件表面上發生的濺射，還可以清除工件表面的污染物，從而---結合力。
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