振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：-回收硅片，光伏電池板，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，-測試，二手，舊，工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，-償還，返工，光伏模塊回收等。
影響因素
1 ．頻率
射頻 pecvd 系統大都采用 50khz~13.56 mhz 的工業(yè)頻段射頻電源。較高頻率 >;4mhz 沉積的氮化硅薄膜具有-的鈍化效果和穩(wěn)定性。
2 ．射頻功率
增加 rf 功率通常會- sin 膜的。但是，功率密度不宜過大，超過 1w/cm2 時器件會造成-的射頻損傷。
3 ．襯底溫度
pecvd 膜的沉積溫度一般為 250 ～ 400 ℃ 。這樣能-氮化硅薄膜在hf 中有足夠低的腐蝕速率，并有較低的本征壓力，從而有-的熱穩(wěn)定性和抗裂能力。低于 200 ℃ 下沉積的氮化硅膜，本征應力很大且為張應力，而溫度高于 450 ℃ 時膜容易龜裂。
4 ．氣體流量
影響氮化硅膜沉積速率的主要氣體是 sih4 。為了防止富硅膜，選擇nh3/sih4=2~20 體積比。氣體總流量直接影響沉積的均勻性。為了防止反應區(qū)下游反應氣體因耗盡而降低沉積速率，通常采用較大的氣體總流量，以-沉積的均勻性。
5 ．反應氣體濃度
sih4 的百分比濃度及 sih4/nh3 流量比，對沉積速率、氮化硅膜的組分及物化性質均有重大影響。
理想 si3n4 的 si/n ＝ 0.75 ，而 pecvd 沉積的氮化硅的化學計量比會隨工藝不同而變化，但多為富硅膜，可寫成 sin 。因此，必須控制氣體中的 sih4 濃度，不宜過高，并采用較高的 sin 比。除了 si 和 n 外， pecvd 的氮化硅一般還包含一定比例的氫原子，即 sixnyhz 或 sinx :h 。
6 ．反應壓力、和反應室尺寸 等都是影響氮化硅薄膜的性能工藝參數。
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電池片流程
1、 車間段位構成
whq ：硅片為太陽能電池片的載體，硅片的決定了電池片的轉換效率。而該工序則是對硅片的來料檢測，主要是包括厚度， ttv ，電阻率，外觀 破片，缺角，孔洞，臟污
需注意 :
1) 切割方向會厚薄不均，放片時需 180 度錯落放置以-放入載體厚薄均勻，切割方向需要垂直與印刷 細 柵方向，預防水波紋出現。
2) 線痕： 單線痕
密集線痕
3 原硅片因切割后因有清洗所以會有粘度導致原硅片粘連，放置時需輕微搖晃。
制絨： 目的：去除表面損傷層，對表面進行凹凸處理 ，清楚表面硅酸鈉，氧化物，油污以及金屬。以提高光電轉換率。
需注意 :
減重 ，活性不均勻會影響到后面 pevcd 工序使硅片出現問題制絨過程中， 制絨面朝下，裝入載體，載體單孔面為制絨面。在制品時間為兩小時，兩小時內要及時送入下一工序。
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絲網印刷
基本原理
基本原理：利用網版圖文部分網孔透墨，非圖文部分網孔不透墨的基本原理進行印刷。印刷時在網版上加入漿料，刮膠對網版施加一定壓力，同時朝網版另一端移動。漿料在移動中從網孔中擠壓到承印物上，由于粘性作用而固著在一定范圍之內。由于網版與承印物之間保持一定的間隙，網版通過自身的張力產生對刮膠的回彈力，使網版與承印物只呈移動式線接觸，而其它部分與承印物為脫離狀態(tài)，漿料與絲網發(fā)生斷裂運動，-了印刷尺寸精度。刮膠刮過整個版面后抬起，同時網版也抬起，并通過回墨刀將漿料輕刮回初始位置，完成一個印刷行程。
絲網結構
網版，刮膠，漿料，印刷臺，承印物
漿料體系
銀鋁漿：背面導體，作為背電極，提供可焊性。
鋁漿：背面導體，作為背面電場，收集電流。
銀漿：正面導體，作為正電極，收集電荷。
登錄后臺
