基于氧化鋅zno的紫外激光器的實現掀起了對于傳統的纖鋅礦結構的半導體氧化鋅zno材料的新的研究熱潮.氧化鋅zno以其優良的綜合性能將成為下一代光電子材料，因此對氧化鋅zno單晶的研究有重要的理論和實踐意義。氧化鋅zno晶體主要性能參數：透過范圍：0.4-0.6 um >; 50% at 2mm；晶向：<0001>;、<11-20>;、<10-10>;±0.5o 尺寸mm 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底。
氧化鋅還是-的光催化材料，可用于環境中的生物降解，光觸媒殺菌等。為了-地研究氧化鋅的導體性能，有-合成高的氧化鋅單晶。常見的氧化鋅zno屬六方晶系，纖鋅礦結構，浙江氧化鋅晶體單晶，點群為6mm，空間群為z=2，a=0.32488mm，c=0.51969mm。zno晶體中，z離子和o離子沿c軸交替堆積，(o001)面終結于正電荷z離子，(0001)面終結于負電荷o離子，氧化鋅晶體單晶襯底，因此，氧化鋅zno單晶具有極性。
氧化鋅zno是一致熔融化合物，氧化鋅晶體單晶批發，熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅zno的揮發性很強，傳統的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶。作為氧化鋅單晶的培養方法，已知有利用水熱合成法的培養方法。水熱合成法是 在高溫高壓的原料水溶液中培養晶體的方法，是利用由溫差引起的過飽和度使晶體在晶種 上析出的方法。
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