氧化鋅zno是一致熔融化合物，熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅zno的揮發性很強，傳統的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶。目前，zno晶體基片，氧化鋅zno晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長法。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外，氧化鋅zno晶體，與其它半導體材料(gan :21mev、znse :20mev)相比，zno晶體價格， 其激子結合能(zno :60mev)非常大，因此，可期待將其用作的發光器件材料。
氧化鋅(zno) 是-的gan薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發光材料．同時由于具有可見區透明，機電耦合系數大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質，天津zno晶體，有望在高峰值能量的能量---器、大直徑高的gan的襯底、未來的5ghz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。
氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導體材料，具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。基于氧化鋅zno的紫外激光器的實現掀起了對于傳統的纖鋅礦結構的半導體氧化鋅zno材料的新的研究熱潮.氧化鋅zno以其優良的綜合性能將成為下一代光電子材料，因此對氧化鋅zno單晶的研究有重要的理論和實踐意義。
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