氧化鋅zno是一致熔融化合物，氧化鋅晶體單晶批發，熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅zno的揮發性很強，傳統的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶。目前，氧化鋅晶體單晶廠，氧化鋅zno晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長法。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外，與其它半導體材料(gan :21mev、znse :20mev)相比，氧化鋅晶體單晶襯底， 其激子結合能(zno :60mev)非常大，因此，可期待將其用作的發光器件材料。
氧化鋅zno單晶是具有半導體、發光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高1性能的移動通訊基片材料和優1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅zno與gan的晶格失配度-小，是gan外延生長理想的襯底材料。同時由于具有可見區透明，氧化鋅晶體單晶，機電耦合系數大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質，有望在高峰值能量的能量---器、大直徑高的gan的襯底、未來的5ghz之外的無線通信、高電場設備、高溫高能電子器件、高電場設備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應用。
氧化鋅zno是ⅱ-ⅵ族纖鋅礦結構的半導體材料，禁帶寬度為3.37ev；另外，其激子束縛能(60mev)比gan(24mev)、zns(39mev)等材料高很多，如此高的激子束縛能使它在室溫下穩定，不易被激發(室溫下熱離化能為26mev)，降低了室溫下的激1射閾值，提高了zno材料的激發效率。基于這些特點，zno材料既是一種寬禁帶半導體，又是一種具有優異光電性能和壓電性能的多功能晶體。
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