目前，生長(zhǎng)氧化鋅zno單晶體的方法有cvt、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經(jīng)生長(zhǎng)出2~3英寸的zno晶體，zno晶體價(jià)格，這證明水熱法是一種生長(zhǎng)高、大尺寸zno單晶體的有效的方法。氧化鋅zno晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。zno晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分，又有共價(jià)鍵的成分，兩種成分的含量差不多，因而使得zno晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強(qiáng)，導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。
氧化鋅zno晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。zno晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分，又有共價(jià)鍵的成分，zno晶體基片價(jià)格，兩種成分的含量差不多，因而使得zno晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強(qiáng)，導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外，與其它半導(dǎo)體材料(gan :21mev、znse :20mev)相比，福建zno晶體， 其激子結(jié)合能(zno :60mev)非常大，因此，可期待將其用作的發(fā)光器件材料。
氧化鋅(zno) 是---的gan薄膜襯底材料，具有60mev的激子束縛能以及室溫下3.73ev帶寬使之成為紫外以及可見光發(fā)光材料．同時(shí)由于具有可見區(qū)透明，機(jī)電耦合系數(shù)大，能使氣體分子在其表面的吸附－解析等性質(zhì)，有望在高峰值能量的能量---器、大直徑高的gan的襯底、未來的5ghz之外的無線通信、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件、高電場(chǎng)設(shè)備、高溫高能電子器件等方面得到廣泛應(yīng)用。
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