氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導體材料，具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。 氧化鋅zno晶體在1975℃同成分熔化，在較高的溫度下非常不穩定，不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。常見的氧化鋅zno屬六方晶系，纖鋅礦結構，點群為6mm，zno晶體中，z離子和o離子沿c軸交替堆積，(o001)面終結于正電荷z離子，(0001)面終結于負電荷o離子，因此，浙江氧化鋅晶體，氧化鋅zno單晶具有極性。
氧化鋅還是-的光催化材料，可用于環境中的生物降解，光觸媒殺菌等。為了-地研究氧化鋅的導體性能，有-合成高的氧化鋅單晶。常見的氧化鋅zno屬六方晶系，纖鋅礦結構，點群為6mm，空間群為z=2，氧化鋅晶體單晶批發，a=0.32488mm，c=0.51969mm。zno晶體中，z離子和o離子沿c軸交替堆積，(o001)面終結于正電荷z離子，(0001)面終結于負電荷o離子，因此，氧化鋅zno單晶具有極性。
目前，生長氧化鋅zno單晶體的方法有cvt、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經生長出2~3英寸的zno晶體，氧化鋅晶體單晶，這證明水熱法是一種生長高、大尺寸zno單晶體的zui有效的方法。555常見的氧化鋅zno屬六方晶系，纖鋅礦結構，點群為6mm，空間群為p6mc，z=2，a=0.32488mm，c=0.51969mm。zno晶體中，z離子和o離子沿c軸交替堆積，(o001)面終結于正電荷z離子，氧化鋅晶體批發，(0001)面終結于負電荷o離子，因此，氧化鋅zno單晶具有極性。
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