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區域提純后的金屬鍺,其錠底表面上的電阻率為30~50歐姆 厘米時,純度相當于8~9,可以滿足電子器件的要求。但對于雜質濃度小于[kg2]10原子/厘米[kg2]的探測器級超純鍺,則尚須經過特殊處理。
由于鍺中有少數雜質如磷、鋁、硅、硼的分配系數接近于1或大于1,要加強化學提純方法除去這些雜質,然后再進行區熔提純。電子級純的區熔鍺錠用霍爾效應測量雜質載流子濃度,一般可達10~10原子/厘米。經切頭去尾,再利用多次拉晶和切割尾,-線材,一直達到所要求的純度10原子/厘米,這樣純度的鍺相當于13所作的探測器,-線材工藝,其分辨率已接近于理論數值。
鎢-鈦w-ti膜以及以鎢-鈦w-ti為基的合金膜是高溫合金膜,具有一系列-的優良性能。鎢具有高熔點、高強度和低的熱膨脹系數等性能,w/ ti 合金具有低的電阻系數、-的熱穩定性能。如各種器件都需要起到導電作用的金屬布線,例如al 、cu 和ag 等已經被廣泛的應用和研究。但是布線金屬本身易 氧化、易與周圍的環境發生反應,山西-線材,與介質層的粘結性差,易擴散進入si 與sio2 等器件的襯底材料中,并且在較低的溫度下會形成金屬與si 的化合物, 充當了雜質的角色,使器件的性能大幅度下降。
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