目前，生長氧化鋅zno單晶體的方法有cvt、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經生長出2~3英寸的zno晶體，四川氧化鋅晶體，這證明水熱法是一種生長高、大尺寸zno單晶體的zui有效的方法。氧化鋅zno晶體具有四種晶體結構，閃鋅礦結構(與金剛石類似，氧化鋅晶體單晶，可看成氧原子fcc排列，4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);nac結構;cscl結構(氧原子簡單立方排列，鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。
氧化鋅zno單晶已被應用于表面聲波(saw)器件、氣敏元件、壓電元件、透明導 電體、壓敏電阻等眾多方面。作為氧化鋅單晶的培養方法，已知有利用水熱合成法的培養方法。水熱合成法是 在高溫高壓的原料水溶液中培養晶體的方法，氧化鋅晶體單晶供應商，是利用由溫差引起的過飽和度使晶體在晶種 上析出的方法。氧化鋅zno晶體有三種結構∶六邊纖鋅礦結構、立方閃鋅礦結構，以及比較罕見的---式八面體結構。
氧化鋅zno晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能ibⅵa族半導體材料，具有優良的光電、導電、壓電、氣敏、壓敏等特性。氧化鋅zno晶體主要性能參數：晶體結構：六方；晶格常數：a=3.252a c=5.313 a；密度：5.7g/cm3；硬度：4mohs；熔點：1975℃；熱膨脹系數：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導：0.006 cal/cm/k。
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