光電探測(cè)器必須和輻射信號(hào)源及光學(xué)系統(tǒng)在光譜特性上相匹配。如果測(cè)量波長(zhǎng)是紫外波段，則選用光電倍增管或?qū)ｉT(mén)的紫外光電半導(dǎo)體器件;如果信號(hào)是可見(jiàn)光，則可選用光電倍增管、光敏電阻和si光電器件;如果是紅外信號(hào)，四路光電探測(cè)器，則選用光敏電阻，近紅外選用si光電器件或光電倍增管。
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1、光發(fā)射－schottky勢(shì)壘探測(cè)器：
金屬和半導(dǎo)體接觸，典型的有ptsi/si結(jié)構(gòu)，形成schottky勢(shì)壘，紅外光子透過(guò)si層為ptsi吸收，電子獲得能量躍上fermi能級(jí)，留下空穴越過(guò)勢(shì)壘進(jìn)入si襯底，ptsi層的電子被收集，四路光電探測(cè)器生產(chǎn)廠家，完成紅外探測(cè)。充分利用si集成技術(shù)，便于制作，具有成本低、均勻性好等優(yōu)勢(shì)，可做成-1024×1024甚至、焦平面陣列來(lái)彌---子效率低的缺陷。有嚴(yán)格的低溫要求。用這類(lèi)探測(cè)器，-已生產(chǎn)出具有像質(zhì)-的熱像儀。ptsi/si結(jié)構(gòu)fpa是較早制成的irfpa。
2、-阱探測(cè)器qwip：
將兩種半導(dǎo)體材料a和b用人工方法薄層交替生長(zhǎng)形成超晶格，在其界面，能帶有突變。電子和空穴被---在低勢(shì)能阱a層內(nèi)，能量-化，稱(chēng)為-阱。利用-阱中能級(jí)電子躍遷原理可以做紅外探測(cè)器。90年代以來(lái)發(fā)展很快，已有512×512、640×480規(guī)模的qwipgaas/algaas焦平面制成相應(yīng)的熱像儀誕生。因?yàn)槿肷漭椛渲兄挥写怪庇诔Ц裆L(zhǎng)面的電極化矢量起作用，光子利用率低；-阱中基態(tài)電子濃度受摻雜---，-效率不高；響應(yīng)光譜區(qū)窄；低溫要求苛刻。人們正深入研究努力加以改進(jìn)，可望與碲鎘探測(cè)器一爭(zhēng)高低。
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光電探測(cè)器是一種能夠?qū)⒐廨椛滢D(zhuǎn)換成電量的一個(gè)器件，它利用這個(gè)特性可以進(jìn)行顯示及控制的功能。光電探測(cè)器種類(lèi)繁多，不勝枚舉。原則上講，只要受到光照射后其物理性質(zhì)會(huì)發(fā)生變化的任何材料都可以用來(lái)制作光電探測(cè)器。現(xiàn)在廣泛使用的光電探測(cè)器是利用光電效應(yīng)工作的，四路光電探測(cè)器報(bào)價(jià)，光電效應(yīng)分為兩類(lèi)：內(nèi)光電效應(yīng)和外光電效應(yīng)。它的用途比較廣泛，主要應(yīng)用在-及國(guó)名經(jīng)濟(jì)的各個(gè)領(lǐng)域上。
-方面：由于現(xiàn)代-對(duì)準(zhǔn)確-情報(bào)的需要，光電探測(cè)器在此發(fā)揮了它-的優(yōu)勢(shì)，四路光電探測(cè)器廠家，期中有： 激光雷達(dá)：
是激光技術(shù)與現(xiàn)代光電探測(cè)技術(shù)相結(jié)合的一種探測(cè)方式。在-方面廣泛應(yīng)用。由、天線 、接收的 、---架、信息處理等構(gòu)成。其中發(fā)射的是激光器，如半導(dǎo)體激光器等。天線是望遠(yuǎn)鏡。接收的則是光電探測(cè)器，如雪崩光電二極管等。
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