振鑫焱光伏科技有限公司常年采購：---回收硅片，電池片，初級多晶硅，銀漿布，單晶硅，多晶硅，太陽能電池，光伏組件，重慶逆變器，太陽能電池板，客戶撤退，降級，庫存，el，---測試，二手，舊工程，拆卸，路燈，拆解電站，拆卸，膠合板，層壓板，無邊界晶體硅，多晶硅，單晶硅，實驗板，---償還，返工，光伏模塊回收等。
四、 鋁珠：
鋁珠產生的---原因是過燒，鋁的熔點是660℃，當鋁受熱超過這一溫度時，鋁顆粒熔化形成了鋁珠。通常，燒結爐的設置溫度都遠高于這一溫度，這里所說的660℃是指電池片表面實際感受的溫度，設置的溫度雖高，由于燒結爐帶速很快，鋁層實際感受到的溫度是遠低于設置溫度的。
解決這一問題的辦法是降下燒結區溫度，或是加快燒結爐的帶速，減少熱量的給予。此法效果非常明顯，鋁珠可得到有效控制。另一方面過分降溫會損失電池片的電性能數據，那么降到什么程度呢，我們的經驗是，降溫到電池片背面手感略微粗糙即可。
五、 鋁刺：
1、 背場印刷表面不均勻:檢查刮條的平整度；
2、 燒結網帶不潔凈：清洗網帶或對忘帶進行打磨；
3、 燒結網帶抖動---：由設備人員來調整網帶；
4、 燒結溫度過高：不影響電性能的情況下降下燒結溫度；
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pecvd
pe 目的
在硅片表面沉積一層氮化硅減反射膜，以增加入射在硅片上的光的透射，減少反射，氫原子攙雜在氮化硅中附加了氫的鈍化作用。
其化學反應可以簡單寫成 ： sih 4 +nh 3 =sin:h+3h 2 。
基本 原理
pecvd 技術原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電或另加-體使樣品升溫到預定的溫度，然后通入適量的反應氣體，氣體經一系列化學反應和等離子體反應，在樣品表面形成固態薄膜。 pecvd 方法區別于其它 cvd 方法的特點在于等離子體中含有大量高能量的電子，它們可以提供化學氣相沉積過程所需的---能。電子與氣相分子的碰撞可以促進氣體分子的分解、化合、激發和電離過程，生成活性---的各種化學基團，因而---降低 cvd 薄膜沉積的溫度范圍，實驗逆變器回收，使得原來需要在高溫下才能進行的 cvd 過程得以在低溫下實現。
基本特征
1. 薄膜沉積工藝的低溫化 < 450 ℃ 。
2. 節省能源，降低成本。
3. 提高產能。
4. 減少了高溫導致的硅片中少子壽命衰減。
擴散方式
pe 設備有兩類：平板式和管式。
按反應方式分為：直接式島津和間接式 roth ＆ rau 。
直接式：基片位于一個電極上，直接接觸等離子體。
間接式：基片不接觸激發電極。 在微波激發等離子的設備里，等離子產生在反應腔之外，然后由石英管導入反應腔中。在這種設備里微波只激發 nh3 ，而 sih4 直接進入反應腔。間接 pecvd 的沉積速率比直接的要高很多，這對-生產尤其重要。
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擴散工藝
擴散目的
在來料硅片 p 型硅片的基礎上擴散一層 n 型磷源，形成 pn 結。
擴散原理
pocl 3 在高溫下 >; 600 ℃ 分解生成五--- pcl 5 和五氧化二磷 p 2 o 5 ， 其反應式如下 ：
5pocl 3=3pcl 5 +p 2 o 5
生成的 p 2 o 5 在擴散溫度下與硅反應 ， 生成二氧化硅 sio 2 和磷原子 ， 其反應式如下 ：
2p 2 o 5+ 5si = 5sio 2 + 4ppocl 3
熱分解時，如果沒有外來的氧 o 2 參與其分解是不充分的，生成的 pcl5 是不易分解的，并且對硅有腐蝕作用，破壞硅片的表面狀態。但在有外來 o2 存在的情況下， pcl 5 會進一步分解成 p2o 5 并放出--- cl 2 其反應式如下：
4pcl 5 +5o 2=2p 2 o 5 +10cl 2
生成的 p 2 o 5 又進一步與硅作用，生成 sio 2 和磷原子，由此可見，在磷擴散時，為了促使 pocl3 充分的分解和避免 pcl 5 對硅片表面的腐蝕作用，必須在通氮氣的同時通入一定流量的氧氣。就這樣 pocl 3 分解產生的 p 2 o 5 淀積在硅片表面， p 2o 5 與硅反應生成 sio 2 和磷原子，并在硅片表面形成一層磷 - 硅玻璃，然后磷原子再向硅中進行擴散。
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