氧化鋅zno單晶是具有半導體、發光、壓電、電光等多種用途的功能晶體材料。不僅可用于制作紫外光電器件，也是高性1能的移動通訊基片材料和優1秀的閃爍材料；此外，氧化鋅zno與gan的晶格失配度---小，是gan外延生長zui理想的襯底材料。常見的氧化鋅zno屬六方晶系，纖鋅礦結構，點群為6mm，空間群為p6mc，z=2，a=0.32488mm，c=0.51969mm。zno晶體中，z離子和o離子沿c軸交替堆積，氧化鋅晶體單晶供應商，(o001)面終結于正電荷z離子，(0001)面終結于負電荷o離子，因此，氧化鋅zno單晶具有極性。
采用化學氣相法在加熱溫度為300~500℃下進行試驗，廣州氧化鋅晶體，加熱溫度對氧化鋅zno晶體的外觀形貌有很重要的影響。氧化鋅zno是一致熔融化合物，熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅zno的揮發性很強，傳統的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶。目前，氧化鋅zno晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長法。采用水熱法，可以從koh和lioh混合水溶液中生長zno晶體。晶體呈淺綠色或淺黃色，完整性較好，氧化鋅晶體批發，但尺寸還不夠大，氧化鋅晶體單晶基片，難以滿足工業應用的需求。
氧化鋅zno晶體主要性能參數：晶體結構：六方；晶格常數：a=3.252a c=5.313 a；密度：5.7g/cm3；硬度：4mohs；熔點：1975℃；熱膨脹系數：6.5 x 10-6 /℃//a 3.7 x 10-6 /℃//c；熱 容：0.125 cal /g.m；熱電常數：1200 mv/k @ 300 ℃；熱 導：0.006 cal/cm/k。目前，生長氧化鋅zno單晶體的方法有cvt、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經生長出2~3英寸的zno晶體，這證明水熱法是一種生長高、大尺寸zno單晶體的zui有效的方法。
登錄后臺
