氧化鋅zno晶體主要性能參數：透過范圍：0.4-0.6 um >; 50% at 2mm；晶向：<0001>;、<11-20>;、<10-10>;±0.5o 尺寸mm 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底；表面粗糙度：surface roughness(ra):<=---可提供原子粒顯微鏡afm檢測報告拋光：單面或雙面；包裝：100 級潔凈袋，氧化鋅晶體單晶襯底基片，1000 級超凈室。
目前，生長氧化鋅zno單晶體的方法有cvt、助熔劑法、溶液法和水熱法。采用水熱法已經生長出2~3英寸的zno晶體，氧化鋅晶體襯底基片，這證明水熱法是一種生長高、大尺寸zno單晶體的有效的方法。氧化鋅zno晶體隨著環境條件的改變形成不同結構的晶體。zno晶體中的化學鍵既有離子鍵的成分，又有共價鍵的成分，天津氧化鋅晶體，兩種成分的含量差不多，因而使得zno晶體中的化學鍵沒有離子晶體那么強，導致其在一定的外界條件下更容易發生晶體結構上的改變。
氧化鋅zno是一致熔融化合物，氧化鋅晶體單晶，熔點為1975℃。由于高溫下氧化鋅zno的揮發性很強，傳統的提拉法等熔體生長工藝很難獲得氧化鋅zno晶體體單晶。目前，氧化鋅zno晶體體單晶的生長方法主要有緩慢冷卻法、水熱法和氣相生長法。氧化鋅zno晶體主要性能參數：透過范圍：0.4-0.6 um >; 50% at 2mm；晶向：<0001>;、<11-20>;、<10-10>;±0.5o 尺寸mm 25×25×0.5mm、10×10×0.5mm、10×5×0.5mm、5×5×0.5mm可按照客戶需求，定制特殊方向和尺寸的襯底。
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