氧化鋅zno單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結構的半導體，其可直接躍 遷，氧化鋅晶體單晶襯底基片，禁帶寬度(eg 3. 37ev)大。此外，與其它半導體材料(gan :21mev、znse :20mev)相比， 其激子結合能(zno :60mev)非常大，因此，氧化鋅晶體單晶廠家，可期待將其用作的發光器件材料。氧化鋅zno晶體具有四種晶體結構，氧化鋅晶體廠家，閃鋅礦結構(與金剛石類似，可看成氧原子fcc排列，4個鋅原子占據金剛石中晶胞內四個碳原子的位置);nac結構;cscl結構(氧原子簡單立方排列，鋅原子占據體心位置);纖鋅礦結構(六方結構，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。
氧化鋅zno是ⅱ-ⅵ族纖鋅礦結構的半導體材料，禁帶寬度為3.37ev；另外，其激子束縛能(60mev)比gan(24mev)、zns(39mev)等材料高很多，天津氧化鋅晶體，如此高的激子束縛能使它在室溫下穩定，不易被激發(室溫下熱離化能為26mev)，降低了室溫下的激1射閾值，提高了zno材料的激發效率。基于這些特點，zno材料既是一種寬禁帶半導體，又是一種具有優異光電性能和壓電性能的多功能晶體。
氧化鋅zno半導體室溫帶隙為3.37ev，且束縛激子能---60mev，使其在紫外半導體光電器件方---有很大潛在應用價值。---的應用前景和制備難度使得zno晶體的生長技術成為材料研究的---。眾所周知氧化鋅zno作為寬禁帶半導體材料，具有纖鋅礦結構，在室溫下具有較強的激光發射性能，在光學、電學、磁學、催化以及傳感器等方---有廣闊的應用前景。
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