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pl3331 內部集成 vdd 檢測電路,系統上電完成前,功率管一直處于斷開狀態,副邊電流流過功率 mos的體二極管,直到 vdd 端電壓超過芯片的啟動閾值電壓時,芯片開始正常工作。
pl3331 當 vdd 電壓低于芯片的欠壓閾值電壓時,芯片進入欠壓保護模式,功率管不會開啟。為了防止 vdd上升過程中抖動對芯片的影響,內部設置了閾值遲滯。芯片的上升閾值和下降閾值典型值為 3.1v 和2.8v。
pl3332
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pl3332副邊導通時,電流首先流過功率 mos 的體二極管,當芯片檢測到功率 mos 漏極與源極壓差小于v on_th 時,pl3369同步整流芯片,芯片經過時間 t don 開啟功率 mos。v on_th 和 t don 的典型值分別為-200mv 和 80ns。
pl3332關鍵特性:車規級-40°-125°c 、低待機、強抗干擾、強保密ic 卡級主要應用:智能家居、小家電、智能照明、電機驅動、電動工具、觸摸按鍵、汽車遙控、pd、qc、電池管理等
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pl3369的 恒流/ 恒壓調節
恒流/恒壓的調節主要是基于系統工作在 dcm 模式。工作于 dcm 模式的反激式開關電源,可以通過輔助繞組來采樣輸出電壓。功率管導通時,原邊電流逐步增加,同步整流芯片,功率管關閉后,原邊電流傳輸到次級,pl3394ae同步整流芯片,并形成次級電流spk i。
在不同的應用中,pl1167同步整流芯片,cs 端不同的采樣電阻會得到不同的恒流點。輸出功率的大小可通過調節 cs 端的采樣電阻實現,采樣電阻越大,恒流點越小,同時輸出功率也越小。
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