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氣體傳感器闡述sno2薄膜氣敏器件因具有---的穩定性、能在較低的溫度下工作、檢驗氣體種類多、工藝成熟等優點,是目前的主 品。此外,fe2o3也是目前廣泛應用和研究的材料。除了傳統的sno、sno2和fe2o3三大類外,目前又研究開發了一批新型材料,包括單一金屬氧化物材料、復合金屬氧化物材料以及混合金屬氧化物材料。這些新型材料的研究和開發,---提高了氣體傳感器的特性和應用范圍。
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氣體傳感器種類按計算,在sno2中加入3~5%的tho2,5%的sm2.在600℃的h2氣氛中燒結,制成厚膜器件,工作溫度為400℃。則可作為co檢測器件。上圖右圖是燒結溫度為600℃時氣敏器件的特性。可看出,工作溫度在170~200℃范圍內,對h2的靈敏度曲線呈拋物線,而對co改變工作溫度則影響不大,因此,利用器件這一特性可以檢測h2。而燒結溫度為400℃制成的器件,工作溫度為200℃時,對h2、co的靈敏度曲線形狀都近似呈直線,但對co的靈敏度要高得多,可以制成對co敏感的氣體傳感器。
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氣體傳感器定做4、穩定性實際應用中,存在ut---間漂移的特性,為此,采用在hcl氣氛中生長一層sio2絕緣層,可以------ut的漂移。除氫氣外,其他氣體不能通過鈀柵,制作其他氣體的pd—mosfet氣敏傳感器要采用一定措施,如制作co敏mosfet時要在鈀柵上制作約20nm的小孔,就可以允許co氣體通過。另外,由于pd—mosfet對氫氣有較高的靈敏度,而對co的靈敏度卻較低,為此可在鈀柵上蒸發一層厚約20nm的鋁作保護層,阻止氫氣通過。鈀對氨氣分解反應的催化作用較弱,為此,要先在sio2絕緣層上沉淀一層活性金屬,如pt、ir、la等。再制作鈀柵,可制成氨氣敏mosfet。
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