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氣體傳感器闡述sno2薄膜氣敏器件因具有-的穩定性、能在較低的溫度下工作、檢驗氣體種類多、工藝成熟等優點,是目前的主 品。此外,fe2o3也是目前廣泛應用和研究的材料。除了傳統的sno、sno2和fe2o3三大類外,目前又研究開發了一批新型材料,包括單一金屬氧化物材料、復合金屬氧化物材料以及混合金屬氧化物材料。這些新型材料的研究和開發,大大提高了氣體傳感器的特性和應用范圍。
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氣體傳感器類型4、穩定性實際應用中,存在ut隨時間漂移的特性,為此,采用在hcl氣氛中生長一層sio2絕緣層,可以----ut的漂移。除氫氣外,其他氣體不能通過鈀柵,制作其他氣體的pd—mosfet氣敏傳感器要采用一定措施,如制作co敏mosfet時要在鈀柵上制作約20nm的小孔,就可以允許co氣體通過。另外,由于pd—mosfet對氫氣有較高的靈敏度,而對co的靈敏度卻較低,為此可在鈀柵上蒸發一層厚約20nm的鋁作保護層,阻止氫氣通過。鈀對氨氣分解反應的催化作用較弱,為此,要先在sio2絕緣層上沉淀一層活性金屬,如pt、ir、la等。再制作鈀柵,可制成氨氣敏mosfet。
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氣體傳感器定做根據單一的紅外吸收峰位置只能判定氣體分子中有什么基團,---判定氣體種類需要看氣體在中紅外區所有的吸收峰位置即氣體的紅外吸收指紋。但在已知環境條件下,根據單一紅外吸收峰的位置可以大致判定氣體的種類。由于在零下273攝氏度即 零度以上的一切物質都會產生紅外幅射,紅外幅射與溫度正相關,因此,同催化元件一樣,為消除環境溫度變化引起的紅外幅射的變化,紅外氣體傳感器中會由一對紅外探測器構成。一個完整的紅外氣體傳感器由紅外光源、光學腔體、紅外探測器和 調理電路構成。
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