在鍍膜技術中，因鋁膜生產成本低，對環境的適應性強，常溫常濕自然條件下，可以存放較長時間而保持導電性不變，自愈性能較好，便于保管和操作，因而得到廣泛應用。
金屬化電容器-*的一個特點是具有-的自愈性，就是說當其介質的電弱處被擊穿后，由于短路產生的高能量使擊穿附近的金屬鍍層迅速逸散形成空白區，重新恢復絕緣。這一特性要求金屬化膜具有較薄的鍍層。但在金屬化的電容器中，金屬鍍層是作為極板使用的，從金屬導電原理出發，又要求金屬鍍層越厚越好，這樣電容器才能承受大電流的沖擊。其噴金材料只能是al、zn或其合金，不同種類的金屬在電場的作用下，接觸面的電化學腐蝕是存在的，加上鍍層，噴金面接觸不佳，造成耐電流沖擊能力差。同時鋁膜電容器在運行中由于熱電效應，鍍層極易腐蝕脫落，導致容量下降，損耗增大、-等。
一般運用于中、低-電源電路中。常見的型號規格有cl11、cl21等系列產品。聚電容器(cb)構造：有箔式和金屬化式二種種類。主要用途：一般運用于中、高頻電路中。常見的型號規格有cb10、cb11(非密封箔式)、cb14~16(精密型)、cb24、cb25(非密封型金屬化)、cb80(髙壓型)、cb40(密封型金屬化)等系列產品。聚電容器(cbb)構造：用無旋光性聚塑料薄膜為物質做成的一種負溫度系數無旋光性電容器。有非密封式(常見有色板塊樹脂漆封裝)和密封式(用金屬材料或塑膠機殼封裝)二種種類。主要用途：一般運用于中、低-電子線路或做為電機的啟動電容。常見的箔式聚電容器：cbb10、cbb11、cbb60、cbb61等;金屬化式聚電容器：cbb20、cbb21、cbb401等系列產品。獨石電容器構造：獨石電容器是用鈦酸鋇為-的結構陶瓷煅燒做成的多堆疊塊狀袖珍型電容器。
電容器回收一般都能夠當做一個rlc串連實體模型。在某一-率，會產生串聯諧振，這時電容的特性阻抗就相當于其esr。假如看電容的-率特性阻抗趨勢圖，便會發覺一般全是一個v形的曲線圖。實際曲線圖與電容的物質相關，因此挑選旁通電容還需要考慮到電容的物質，一個較為商業保險的方式 便是多并好多個電容。去耦電容在集成電路開關電源和地中間的有兩個作用：一方面是本集成電路的蓄能電容，另一方面旁通掉該元器件的高頻率噪聲。數字電路設計中典型性的去耦電容值是0.1μf。這一電容的-電感器的典型值是5μh。0.1μf的去耦電容有5μh的-電感器，它的并行處理共振頻率大概在7mhz上下，換句-，針對10mhz下列的噪聲有-的去耦實際效果，對40mhz之上的噪聲基本上失靈。1μf、10μf的電容，并行處理共振頻率在20mhz之上，除去高頻率噪聲的實際效果好些一些。每10片上下集成電路得加一片蓄電池充電電容，或一個蓄能電容，可選10μf上下。
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