在有機物的污染膜等的情況下，大的是濕清洗，微細的是光uv清洗
結合清洗方法可以大大提高清洗效果。
分子單位的污垢是光，比它大的用濕法清洗。
1粒子雖然只是單純的垃圾，但是看不見的水平>;從空氣中等附著的垃圾。
多μm，物鏡鏡筒，0.1μm級。
2金屬系的污染>;從人體蒸發的汗中含有的鈉分子
藥液類中含有的微量重金屬原子等。即使是分子系，鈉等也容易成為與其他物質合成物
用濕式清洗可以去除的情況很多。
3有機污染＝碳成分>;人的頭屑和污垢中含有的碳、藥液中含有的微量碳分子、
-等。
4油脂>;人的體表、汗水、指紋等所含的油分等。
5自然氧化膜>;物質表面與-中的氧結合形成1～2nm的氧化膜
空氣中的雜質混入而造成污染。
duv/euv光刻
光刻技術是用激光將圖案等燒成技術，用于半導體或液晶面板的基板制造
被使用，那個uv照射被使用的是duv：波長200nm左右的紫外線。
用密的東西能蝕刻數十nm～百數十nm左右的圖形。
另外，作為下一代的有希望的技術，被稱為extreme ultraviolet簡稱euv的13.5nm等
使用波長極短的“超紫外線”的光刻也有被稱為極紫外光光刻：extremeultraviolet lithography:euvl的情況中，duv遠紫外線光刻的
因為使用了20分之1左右波長的光線，所以可以使圖案微細。
＊裝載這樣精密電路的底座的清洗，用以往的濕式清洗是來不及的
同時使用uv光清洗。
1.業界！新構思的裝置內設置單元
照射頭·散熱片·控制器成為一體的裝置內設置的照射單元，根據來自定序器的信號控制。散熱片上設有安裝孔，可簡單安裝機器人機械臂、機箱等。
2.高功率照射
照射4000mw/?以上***1、7000mw/?以上***210000mw/?以上高功率紫外線365nm輸出。
因為在獨自開發的角型散熱片上設置了led，所以散熱效率-，即使是30分鐘的全功率點燈，uv輸出也
幾乎不衰減。
3.低運行成本
使用led的壽命，假設連續點亮的估計時間為30000小時。與傳統的燈方式相比，m-1a物鏡鏡筒，是7.5倍以上。同時，燈方式需要連續點燈，不過，led的情況，成為實際的點燈時間，zl-90物鏡鏡筒，根據點燈頻度更長壽命，能大幅度削減運行成本。
4.的散熱結構的照射頭
由于獨自開發的無基板構造和鋁縱型散熱片的使用，散熱效果-，所以即使在100%的照射功率下使用30分鐘以上，照射強度也幾乎沒有變化。可以進行非常穩定的照射。
5.外部序列發生器控制的簡單功能
作為外部定序器控制類型，裝備了低限度的功能。
功能列表
●照射功率選擇：音量設定/外部0～5v模擬設定
●外部照射輸入/停止輸入
●照射中輸出
6.低成本
通過的設計理念和簡化，實現了低成本。
*照射波長除365nm外，還可制作385nm。
***1ulel-4聚光直徑φ4mm使用透鏡時的中心強度。100%光量點亮時
***2ulel-3聚光直徑φ3mm使用鏡頭時的中心強度100%光量點亮時
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