考夫曼離子源是應用較早的離子源。屬于柵格式離子源。首先由陰極在離子源內(nèi)腔產(chǎn)生等離子體，讓后由兩層或三層陽極柵格將離子從等離子腔體中抽取出來。這種離子源產(chǎn)生的離子方向性強，離子能量帶寬集中，可廣泛應用于真空鍍膜中。缺點是陰極往往是鎢絲在反應氣體中很快就燒掉了，納米防腐涂層，另外就是離子流量有-，對需要大離子流量的用戶可能不適和。
霍爾離子源是陽極在一個強軸向磁場的協(xié)作下將工藝氣體等離子化。這個軸向磁場的強不平衡性將氣體離子分離并形成離子束。由于軸向磁場的作用太強，霍爾離子源離子束需要補充電子以中和離子流。常見的中和源就是鎢絲陰極。
材料不相容性：聚對二涂層和待粘附的基材表面需要粘合在一起。聚對二與待覆蓋表面之間的不相容性產(chǎn)生了聚對二和襯底相遇的表面能的不協(xié)調(diào); 在這些情況下，只有小的粘合發(fā)生，納米涂層模具，如果它發(fā)展，東莞納米涂層，經(jīng)常導致分層。
涂層孔隙率：在聚對二涂層和表面之間的區(qū)域中產(chǎn)生蒸汽壓差，導致易受水分侵入和滲透到pcb的影響。隨之而來的溫度和壓力的波動產(chǎn)生滲透壓，其可以將涂層與基底分離。
采用壓力控制器方案，控制往真空腔體內(nèi)充入的惰性氣體的壓力以營造一個控制-的鍍膜環(huán)境。與反應腔體直接連接的外置真空計測量持續(xù)的過程壓力，該壓力讀數(shù)通過模擬信號傳輸?shù)綁毫刂破鞑@示。
進入腔體內(nèi)的參與反應的氣體的流量由流量控制器控制。因為上述的壓力控制器可以測得腔體內(nèi)的壓力、并通過調(diào)節(jié)非反應類氣體的含量實時調(diào)節(jié)過程壓力，從而使腔體內(nèi)形成利于沉積的鍍膜環(huán)境。
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