mems材料刻蝕加工——廣東省科學院半導體研究所是廣東省科學院下屬骨干研究院所之一，主要-半導體產業發展的應用技術研究，-重大技術應用的基礎研究，立足于廣東省經濟社會發展的實際需要，從事電子信息、半導體領域應用基礎性、關鍵共性技術研究，以及行業應用技術開發。
電子回旋加速振蕩等離子體刻蝕設備主要應用于金屬互連線、通孔、接觸金屬等環節。金屬互連線通常采用鋁合金，對鋁的刻蝕采用氯基氣體和部分聚合物。鎢在多層金屬結構中常用作通孔的填充物，通常采用氟基或氯基氣體。
刻蝕通過與光刻、沉積等工藝多次配合可以形成完整的底層電路、柵極、絕緣層以及金屬通路等。從難度上講，硅刻蝕難，臺灣材料刻蝕多少錢，其次介質刻蝕，的是金屬刻蝕。
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化學蝕刻與物理蝕刻的不同之處在于，它利用等離子體內產生的反應物質與基板材料之間的化學反應。常見的化學蝕刻類型涉及鹵化物化學，其中氯或氟原子是蝕刻過程中的活性劑。蝕刻工藝的代表性化學物質是使用 nf3進行硅蝕刻。此蝕刻過程中的化學反應順序為：
nf 3 + e - *** ? nf 2 + f ? + e -si(s) +4f ? *** sif 4 ↑
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多晶硅刻蝕：
在901e刻蝕機中刻蝕，刻蝕機內通入的氣體有：sf6。
玻璃腐蝕：
1、 配制5%hf溶液，感應耦合等離子刻蝕材料刻蝕多少錢，
配制腐蝕液：5%hf溶液：h2o=3：50；
2、常溫下，氮化鎵材料刻蝕多少錢，將硅片放入腐蝕液中浸泡；
3、在溢流槽中沖洗；
4、沖純水；
5、甩干。
濕法去膠：
鋁淀積前去膠在sh去膠機濕法腐蝕機中進行，采用sh溶液將膠氧化的方法去膠，具體步驟為：
1、在sh清洗劑98%h2so4：h2o2=3：1中浸泡；
2、在溫純水中溢流沖水；
3、在溢流槽中溢流沖水；
4、甩干。
由于酸對鋁有腐蝕作用，淀積鋁后去膠就不能用酸，在此采用omr502剝離液去膠，在omr剝離清洗機中進行，具體步驟為：
1、在剝離液omr-83剝離液中浸泡去除光刻膠；
2、再在h-1清洗劑中浸泡去除剝離液；
3、在中浸泡去除h-1清洗劑；
4、沖純水；
5、甩干。
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